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英飞凌600V CoolMOS P7/C7 MOSFET可实现出色的功率密度
2017/4/17 17:25:06
【产通社,4月15日讯】英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG;FSE股票代码:IFX/OTCQX股票代码:IFNNY)官网消息,其新推出的600V CoolMOS P7和600V CoolMOS C7 Gold(G7)系列的击穿电压高达600V,具备更出色的超结MOSFET性能,可在目标应用中实现非常出色的功率密度。
 
产品特点
新推出的P7树立效率标杆并具备更高的性价比,可大大简化设计。该器件的目标应用包括充电器、适配器、照明装置、电视、PC电源、太阳能、服务器、电信和电动汽车充电等,其功率级别从100W到15kW不等。在不同的拓扑中,600V CoolMOS P7能够将目标应用的效率提高1.5%,并且,相比竞争产品而言,工作温度最多可降低4.2°C。表面贴装(SMD)和通孔封装型号的导通电阻RDS(on)范围均为37-600mΩ,因此,600V CoolMOS P7适合功率范围很宽的多种应用。此外,超过2kV(HBM)的出色的防静电能力可保护器件免受生产中的静电放电损坏,从而有效提高制造品质。最后,坚固耐用的体二极管能在LLC电路中硬换向事件期间保护器件。
G7具备较低的导通电阻RDS(on)、最小的栅极电荷QG,同时存储于输出电容的能量减少,并具备无引线TO封装的4管脚开尔文源极能力。这可以最大限度降低PFC和LLC电路中的损耗,并将性能提升0.6%,同时提高PFC电路的满载效率。G7只有1nH的极低源极寄生电感,也有助于提高效率。
G7采用无引线TO封装,热性能得以改善,适用于大电流的设计,同时SMD工艺有助于降低安装成本。此外,600V G7具备业界最低的导通电阻RDS(on),从28-150mΩ不等。相比传统的D2PAK封装而言,该器件的表面积、高度和占板空间分别减小30%、50%和60%。所有这些特性,使该器件成为服务器、电信、工业和太阳能等应用领域实现最高效率并树立功率密度标杆的理想选择。
 
供货与报价
600V CoolMOS P7与600V CoolMOS C7 Gold系列器件已开始批量生产,可订购样品。查询进一步信息,请访问官方网站
http://www.infineon.com/600v-p7
和
http://www.infineon.com/c7-gold-toll
。
(完)
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