【产通社，4月13日讯】天津中环半导体股份有限公司（Zhonghuan Semiconductor；股票代码：002129）2016年年度报告显示，其2016年研发投入达到39,145.24万元，科技投入率达到5.77%。

在新能源材料方面，2016年公司在直拉单晶生长技术和产业化技术方面取得重大创新成果，该技术的应用使公司产品单晶的氧含量将较当前水平大幅度下降25%以上；同期，公司在超薄晶片金刚石线加工技术综合研究方面也取得重大成果，使156MM的太阳能级硅片厚度减薄了20μm，并在2016年向公司全球的客户交付批量订单。

在电池片方面，公司持续开展的薄片化电池片项目达到国内行业领先公司，从190μm行业标准硅片厚度推动工艺创新逐步下降到目前的170μm。

在低阻化PERC技术、电池多栅线技术方面的研发开始走到了国内同行业的前面。

在创新能力和知识产权建设方面，公司通过持续的新技术应用和技术升级改善，提高生产、制造、运营管理效率，在创新方式上采用集成创新、联合创新、集约创新，利用先进的数值模拟和实际试验结合的方式完成了具有自主知识产权、具有国际领先水平的创新成果；同时建立了企业自己的研发平台，核心部件自主配套体系，培养了一大批优秀的科技人员、工程技术人员以及信息化管理人才，结合制造业“工业4.0”的先进理念，在ERP、MRP 2、工厂物流现代化、工业自动化控制等各方面都达到了国际先进、国内领先水平。

报告期末，公司累计拥有授权知识产权212项，其中发明专利80项，实用新型97项，集成电路布图设计35项。受理状态的专利147项，其中发明专利113项，实用新型34项。并形成了省级（自治区级）研发中心4个，高新技术企业5家。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.tjsemi.com。    （完）