（产通社，11月23日讯）海力士采用的54纳米技术的1Gb DDR2 DRAM，11月获得了美国Intel公司的认证，从而证明了公司的尖端技术能力和成本竞争力。

此次获认证的54纳米1Gb DDR2 DRAM，采用了三维晶体管架构和WDPG技术，不但减少耗电，还大大提高了运行速度。与现正批量生产的66纳米工程相比，可增加50%的产能。新采用的这些技术还将扩展应用至1Gb DDR3 DRAM产品中，届时，它将于1Gb DDR2 DRAM和DDR3 DRAM产品一起，于明年下半年开始正式批量生产。

海力士获得的此次认证，意味着产品的超高速性能和低耗电特点得到正式验证和强化，计划将之扩展应用于大容量PC DRAM、Graphic DRAM及Mobile DRAM等各种高附加值产品中去，从而可提高产品的竞争力，以满足市场今后不断增加的需求。

海力士认为，以54纳米技术来制造的1Gb DDR2 DRAM获得认证，意味着海力士尖端技术能力和成本竞争力再次得到证实，使800Mbps（每秒处理800Mb的数据）超高速产品的批量生产成为可能，因而具有重大的意义。
 
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