（产通社/深圳，11月21日讯）设计与制造高性能射频系统与解决方案的全球领先者——RF Micro Devices（Nasdaq GS股市代号：RFMD）在其分析日宣布，公司已通过了第一代48V氮化镓(GaN)工艺技术的技术认证。

RFMD堪称全球领先的复合半导体制造商，公司充分利用了现有制造资产以及在高量产复合半导体设计与制造方面业经验证的专业技能，以提供其最新GaN工艺技术所具有的出色热性能及RF性能。RFMD已开始向多个终端市场中的客户预批量发运其48V GaN技术。

RFMD的48V GaN工艺技术非常适于满足客户日益增长的对更高功率、更高效率及更大带宽的需求。公司正在瞄准多个高增长应用，包括高线性有线电视线路放大器、军用雷达应用、高带宽无线基础设施功率放大器，以及面向创新高亮度光发生应用的功率模块。

RFMD多市场产品部总裁Bob Van Buskirk指出：“我们正在生产以及正在开发的多个产品将从我们最新GaN技术的引用中获益。这种新的工艺技术为我们新成立的多市场产品组提供了直接的竞争优势，我们GaN技术在多个终端市场中的不断部署将支持我们有关收入与利润随我们多市场产品组的持续发展而增长的预期。”

Van Buskirk继续说道，“与当前可用的技术相比，RFMD的新GaN工艺技术可提供更高效率、更大的运行带宽以及更高的强健性。这些性能特性正在支持多个高增长应用中的有利设计活动。”

RFMD的高效率、高功率GaN工艺技术在48V时展现出一流的RF性能，并且具有5.6W/mm平均Psat、超高60%的平均峰值PAE，以及在频率为2.1GHz时24dB的平均小信号增益。与当前可用的传统技术相比，RFMD GaN技术的固有电气特性及出色可靠性提高了带宽、功率及效率。通过在多个晶圆批次上使用三温测试，计算的180摄氏度（工作结温）时的中值失效时间(MTTF)大于1x106小时。

更多RFMD信息，请访问：www.rfmd.com。

 PR Agency：
TechWire/TechMedia International
voice: 1-831-429-6288
fax: 1-831-429-6920
http://www.ezwire.com/
email: information@ezwire.com
Belgium: +32 (0)2 653 80 61
Korea: +82-(0)2 812 1144
China: +86-10-858 04251