(产通社/深圳,11月21日讯)设计与制造高性能射频系统与解决方案的全球领先者——RF Micro Devices(Nasdaq GS股市代号:RFMD)在其分析日将宣布推出由RFMD开发的新技术,这些技术可在RF应用中实现空前水平的功能整合。
这些新技术包括密封的晶圆级封装(WLP)、微机电系统(MEMS)、整合的共形防护层、氮化镓(GaN)、GaAs E/D pHEMT及GaAs BiFET。RFMD预计这些新的工艺及关键技术将支持公司在2008年的预期增长,并扩展公司涉足新蜂窝产品类别的范围,包括蜂窝模式开关、滤波器、双工器及面向蜂窝手机的其他高性能RF元件。
RFMD的这些新技术基于公司先前对Optimum Technology Matching (OTM)的关注,在这一工作重点下,RFMD设计人员可根据成本与性能考虑因素为每个应用选择最佳技术。通过充分利用极为扩展的专为在RF应用中提高功能整合度而优化的若干关键技术,RFMD的新技术进一步推动了OTM。
除无线商机外,RFMD预计其新技术还将在新成立的多市场产品组(MPG)所针对的市场中扩展增长前景,这些市场包括无线基础设施、无线接入、标准产品、宽带/消费类及航空与国防。
RFMD堪称头号RF供应商。领先的独立研究公司Gartner最近将RFMD评为数字终端用户所用的RF器件方面的头号供应商,以及手机功率放大器及前端模块头号供应商。更多RFMD信息,请访问:www.rfmd.com。
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