【产通社，2月22日讯】江苏捷捷微电子股份有限公司（Jiangsu JieJie Microelectronics Co.,Ltd.；股票代码：300623）首次公开发行股票并在创业板上市招股意向书显示，其截至本招股意向书签署日专利情况（序号、专利名称、专利号、专利保护期限、专利类型）如下：
1 门极灵敏触发单向可控硅芯片及其生产方法  ZL200810122602.9  自2008年6月16日至2028年6月15日  发明专利
2 门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法  ZL200910301954.5  自2009年4月29日至2029年4月28日  发明专利
3 一种低结电容过压保护晶闸管器件芯片的生产方法  ZL200910301945.6  自2009年4月29日至2029年4月28日  发明专利
4 内绝缘型塑封半导体器件及其制造方法  ZL201010211665.9  自2010年6月28日至2030年6月27日  发明专利
5 在半导体器件芯片玻璃钝化膜上划切的装置的使用方法  ZL201110210416.2  自2011年7月26日至2031年7月25日  发明专利
6 一种可控硅芯片与木片的烧结磨具及其使用方法  ZL201110186119.9  自2011年7月5日至2031年7月4日  发明专利
7 一种金属与塑料混合封装的可控硅封装结构及其封装方法  ZL201110185306.5  自2011年7月4日  至2031年7月3日  发明专利
8 一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构及方法  ZL201110213223.2  自2011年7月28日至2031年7月27日  发明专利
9  台面工艺功率晶体管芯片结构和实施方法  ZL201110213277.9  自2011年7月28日至2031年7月27日  发明专利
10  台面工艺可控硅芯片结构和实施方法  ZL201110213225.1  自2011年7月28日至2031年7月27日  发明专利
11 一种大尺寸硅芯片采用塑料实体封装的可控硅及其封装方法  ZL201110186169.7 自2011年7月5日至2031年7月4日  发明专利
12 内绝缘型塑封半导体器件  ZL201020240792.7  自2010年6月28日至2020年6月27日  实用新型专利
13 台面工艺可控硅芯片结构 ZL201120270383.6  自2011年7月28日至2021年7月27日  实用新型专利
14 台面工艺功率晶体管芯片结构  ZL201120270384.0  自2011年7月28日至2021年7月27日  实用新型专利
15 一种大尺寸硅芯片采用塑料实体封装的可控硅  ZL201120233834.9  自2011年7月5日至2021年7月4日  实用新型专利
16 一种大功率半导体器件  ZL201120233780.6  自2011年7月5日至2021年7月4日  实用新型专利
17 一种单向晶闸芯片的门极结构  ZL201120233893.6  自2011年7月5日至2021年7月4日  实用新型专利
18 一种高粘度光刻胶无胶丝匀胶装置  ZL201120232561.6  自2011年7月4日至2021年7月3日  实用新型专利
19  一种提高双台面可控硅产品可靠性的封装结构  ZL201120233779.3  自2011年7月5日至2021年7月4日  实用新型专利
20 一种单向低压TVS器件 ZL201620137605.X  自2016年2月24日至2026年2月23日  实用新型专利
21 一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片  ZL201620137606.4  自2016年2月24日至2026年2月23日  实用新型专利
22 一种汽车用二极管器件 ZL201620151962.1  自2016年3月1日至2026年2月28日  实用新型专利
23 一种大功率可控硅封装结构 ZL201620192032.0  自2016年3月14日至2026年3月13日  实用新型专利
24 单一负信号触发的双向晶闸管芯片 ZL201620192790.2  自2016年3月14日至2026年3月13日  实用新型专利
25 一种带有深阱终端环结构的平面可控硅芯片  ZL201620192788.5  自2016年3月14日至2026年3月13日  实用新型专利
26 一种高压整流二极管芯片 ZL201620192024.6  自2016年3月14日至2026年3月13日  实用新型专利
27  一种P+深结区位于短路孔内的半导体放电管芯片  ZL201620192037.3  自2016年3月14日至2026年3月13日  实用新型专利
28  一种VR大于2600V的方片式玻璃钝化二极管芯片  ZL201620192752.7  自2016年3月15日至2026年3月14日  实用新型专利
29  一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管  ZL201620264475.6  自2016年4月1日至2026年3月31日  实用新型专利
30  一种单向低压TVS器件及其制造方法  ZL201610100408.5  自2016年2月24日至2036年2月23日  发明专利
31 用金属铝膜实现对通隔离扩散的晶闸管芯片及其制作方法  ZL201310209154.7  自2013年5月30日至2033年5月29日  发明专利
32 平面晶闸管、用于制造平面晶闸管的芯片及制作方法  ZL201310211580.4  自2013年5月30日至2033年5月29日  发明专利
33  一种带有七层对通隔离结构的可控硅芯片及其制备方法  ZL201620192787.0  自2016年3月14日至2026年3月13日  实用新型专利

上述专利均为自主申请，目前的法律状态均为有效。发行人专利技术为公司自主知识产权，应用于功率半导体芯片和封装器件的多道生产工艺中，降低原材料的损耗率，提高生产效率，保证各批次产品性能优良、一致、稳定，从降低生产成本、提升产品质量、增强品牌知名度、把握定价话语权等多方面保证公司持续盈利能力。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.jjwdz.com/cn/company。    （完）