【产通社，2月10日讯】联华电子股份有限公司（United Microelectronics Corporation；NYSE股票代码：UMC；TWSE股票代码：2303）官网消息，其已与松下电器半导体有限公司（Panasonic Corporation；TSE股票代码：6752）达成一项协议，双方将合作开发新一代40nm可变电阻式存储器（ReRAM）的批量生产工艺。可变电阻式存储器（ReRAM）是一种非易失性存储器，通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压产生大的电阻差值来存储“0”和“1”，其结构非常简单，两侧电极将金属氧化物包夹于中间，可简化制造工艺，具备低功耗和高速重写等卓越性能。

ReRAM与目前广泛应用的闪存[2]十分相似，是一种非易失性存储器。该器件结构简单，具有高速处理和低功耗的特点。2013年，PSCS启动了ReRAM的批量生产，当时采用的是180nm工艺，目前公司面向便携式医疗设备等低功耗应用提供8位单片机MN101LR系列。之前，PSCS是首家利用40nm工艺测试和验证存储器阵列的高可靠性的公司。

双方商定的合作项目将实现PSCS 40nm ReRAM工艺技术与UMC高可靠性CMOS工艺技术的整合。随着嵌入式存储器逐渐替代闪存，该合作项目将铸就一个适用于各种系统器件的ReRAM工艺平台，例如，广泛应用于IC卡、可穿戴式终端和物联网设备的系统器件。

PSCS将于2018年交付采用新的40nm工艺的样品，届时，其将成为业界首家启动批量生产的公司。PSCS和UMC将为世界各地的其他半导体制造商和供应商提供双方联合开发的ReRAM工艺平台。

谈到这一合作项目时，PSCS总裁Kazuhiro Koyama表示：“PSCS已在业界率先启动ReRAM的批量生产，而扩展的工艺平台的开发将加速ReRAM的市场占有率，从而有效地帮助公司提供广泛的最佳产品来满足客户需求。”

UMC高级副总裁S.C. Chien说：“我们非常高兴与松下达成这一代工协议。我们40nm工艺业已证实的可靠性、快速周转时间以及高产量将为松下的ReRAM带来新的竞争力。随着该产品获得广泛的市场接受度，该工艺将使双方实现共赢。我们期待与松下合作，帮助他们实现40nm ReRAM的批量生产。”

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.umc.com/English/news/2017/20170202.asp，以及http://www.panasonic.com/global。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）