【产通社，12月31日讯】武汉新芯集成电路制造有限公司（XMC）官网消息，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目，在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资240亿美元，主要生产存储器芯片，总占地面积1968亩。

国家工信部副部长刘利华、工信部电子信息司司长刁石京、国家发改委高技术产业司副司长孙伟、国家科技部重大专项办副巡视员邱钢、国家开发银行评审二局副局长李力锋，国家集成电路产业投资基金公司董事长王占甫、总经理丁文武、监事长王彦欣，华芯管理公司常务副总裁高松涛等，与湖北省副省长许克振，武汉市委常委、常务副市长龙正才，武汉市委常委、东湖高新区党工委书记胡立山，武汉市副市长邵为民，东湖高新区管委会主任张文彤等领导莅临项目现场调研。紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国向到场领导介绍项目情况。
 
赵伟国董事长强调，国家存储器基地正式动工建设不仅仅是一个项目的开工，更具有特别的意义，一是存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破，相当于中国科技领域的辽宁号航空母舰出海试航。二是存储器基地项目的运作，是一种新模式的成功探索，这种新模式就是“国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作”的三合一。三是存储器基地项目投资强度大，是中国集成电路行业单体投资最大的项目，也是湖北省最大的投资项目，也是中国最大的单体投资项目。

工业和信息化部和发展改革委相关领导表示，国家存储器基地项目的实施必将进一步带动湖北省、武汉市集成电路产业发展，推动中部地区崛起和经济专型升级，促进我国集成电路产业向更高水平发展。将会同有关部门和地方，加强规划引导，大力推动、重点支持国家存储器基地项目建设，着力促进产业集聚和产业链协同。

此次正式开工建设的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

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