【产通社，12月30日讯】北京大学（Peking University）官网消息，以其信息科学技术学院为第一作者单位的5篇论文日前在美国电气电子工程师学会2016年度电子器件大会（IEEE International Electron Device Meeting，IEDM）上发表。由此，北大成为本次会议被接收论文最多的中国机构。与此同时，这也是北大连续第十年在IEDM发表论文，表明学校在微纳电子器件领域的研究水平持续保持在国际前沿之列。

这5篇论文的研究内容包括：发现新型隧穿晶体管的电介击穿可靠性的新特性及其机理，同时提出并验证了基于新结构器件的改进方案，为实现高可靠、超低功耗晶体管技术的产业应用奠定了重要基础（第一作者为博士后黄芊芊，合作导师为信息科学技术学院院长黄如院士）；16/14nm及以下工艺节点FinFET（鳍式场效应晶体管）新技术的随机涨落机制与模型表征、及其亚0.2V超低电压应用的近阈值电路设计研究（第一作者为博士研究生蒋晓波，由王润声副教授、黄如院士指导）；纳米尺度晶体管的导电沟道渗流理论、模型与实验表征研究（第一作者为博士研究生张喆，由王润声副教授、黄如院士指导）；新型半导体存储介质的存储机制微观模拟和面向性能优化的建模（第一作者为博士研究生赵钰迪，由康晋锋教授、博士后黄鹏指导）；III-V族化合物半导体纳米线晶体管的栅介质可靠性研究（第一作者为博士研究生李云，由刘晓彦教授指导）。其中，赵钰迪的研究工作被大会组织委员会列为本次会议的亮点之一。

以上论文的相关研究工作得到国家自然科学基金创新研究群体、优秀青年科学基金、国家高技术研究发展计划（“863计划”）等项目的资助，以及微纳电子与集成系统协同创新中心、北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室等机构的支持。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.pku.edu.cn。    （完）