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Qualcomm采用三星10nm FinFET制程工艺生产骁龙835处理器
2016/11/21 10:12:53     

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【产通社,11月21日讯】高通公司(Qualcomm Incorporated;NASDAQ股票代码:QCOM)官网消息,其子公司Qualcomm Technologies(QTI)和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作,将采用三星10nm FinFET制程工艺打造Qualcomm Technologies最新款顶级处理器——Qualcomm骁龙835处理器。

今年10月,三星宣布率先在业界实现了10nm FinFET工艺的量产。与其上一代14nm FinFET工艺相比,三星10nm工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10nm FinFET工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会显著提升电池续航。

目前,骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中,骁龙835正是其后续产品。查询进一步信息,请访问官方网站http://www.qualcommhalo.com。     (完)
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