【产通社，11月10日讯】西安电子科技大学（Xidian University）官网消息，其微电子学院郝跃院士科研团队的研究生王洪娟和张虹霄在IEEE 13th International Conference on Solid State and Integrated Circuits Technology（简称ICSICT）2016年会上获得了“Excellent Student Paper Award”奖项。

在郝跃院士的带领下，微电子学院在非硅微电子器件的研究方向上取得了重要的进展。非硅微电子器件是后摩尔时代的主流技术，也是郝跃院士近年来主要推动的研究方向之一。韩根全教授指导的研究生王洪娟同学，在锗与锗锡量子阱高迁移率CMOS和隧穿场效应晶体管的研究中取得了国际一流的研究成果。会议上，王洪娟同学做了题目为“High Mobility Ultra-Thin Ge and GeSn Channel PMOSFETs Fabricated on Si Platform”的口头报告，报道的SOI衬底上应变锗量子阱pMOSFET空穴迁移率高达897cm2/Vs，相比于常规Si器件提高了18倍。她的报告获得了包括IEEE Electron Device Letters杂志编辑Albert Chin 教授等在内的多名国际知名专家的高度评价。张春福教授指导的研究生张虹霄同学，其关于钙钛矿太阳能电池研究的张贴报告也获得广泛好评。

ICSICT会议是国际微电子领域的重要会议，第13届IEEE固态和集成电路国际会议于2016年10月25-28日在杭州召开，时值30周年之际，大会邀请耶鲁大学T. P. Ma教授等众多微电子行业杰出人物分别做了精彩的主题报告。英特尔、IBM及台积电的研发部门和IMEC等单位纷纷报道了其最新的相关研究成果，国外多所大学以及北京大学、复旦大学和西安电子科技大学等高校派出代表参加此次会议。

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