（产通社/深圳，10月10日讯）Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）日前宣布推出新系列P通道MOSFET，这些器件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。

基于新一代TrenchFET芯片技术的新型Vishay Siliconix器件采用PowerPAK SC-70封装（2.05×2.05mm）时最大导通电阻额定值为29毫欧，采用标准SC-70封装（2.0×2.1mm）时为80毫欧，采用SC-89封装（1.6×1.6mm）时为130毫欧。与市场上仅次之的MOSFET相比，这些新型Vishay Siliconix器件的规格表现了高达63%的改进。

这些新型P通道TrenchFET将用于手机、MP3播放器、PDA及数码相机等便携式终端产品中的负载开关、PA开关及电池开关，在这些应用中，它们的低传导损失将有助于延长电池的运行时间，它们的微型封装将节省宝贵的板面空间，从而实现更多功能。

在便携式电子系统中，通过在显示器或功率放大器等功能不用时关闭它们，或将系统从活动模式切换到睡眠模式，P通道MOSFET执行基本功能，从而节省电池使用时间。执行这些切换任务时，这些新型Vishay Siliconix器件的功耗低于市场上的先前任何P通道功率MOSFET，因为它们超低的导通电阻额定值会直接体现成更低的导电损失。

日前推出的P通道TrenchFET包括具有-12V、-20V及-30V击穿电压额定值的单通道器件，如Si1065X、Si1067X、Si1069X、Si1071X、Si1073X、Si1469DH、Si1471DH、Si1473DH、SiA413DJ、SiA421DJ。这些器件采用6引脚SC-89、标准SC-70及PowerPAK SC-70封装，所有封装均无铅(Pb)，符合当今的环保要求。

Vishay Siliconix是首家推出TrenchFET技术的供应商。凭借这些新型器件，该公司扩展了包含采用众多封装类型的N通道及P通道TrenchFET。目前，这些新型P通道TrenchFET功率MOSFET的样品和量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为12～14周。更多信息，请访问http://www.vishay.com/company/press/releases/2007/071010mosfet/。