【产通社，8月27日讯】中国科学院微电子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官网消息，其“千人计划”学者韦亚一研究员的专著《超大规模集成电路先进光刻理论与应用》于近期在科学出版社出版，并通过了业内专家委员会的评审，获得了中国科学院科学出版基金的资助。 

光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术，推动着器件制造技术的快速进步。目前，国内在先进光刻技术领域的著作较少，尤其是融合主流光刻工艺和计算光刻等内容的科学专著鲜有问世。当前国内集成电路设计和制造蓬勃发展，集成电路技术研发进入重要战略机遇期，对集成电路设计和制造等专门人才的需求越来越多。该专著的出版对从事集成电路制造、工艺整合、光刻研发、计算光刻软件、集成电路教学和科研等从业人员具有较高的指导价值。 

该书覆盖了现代光刻技术的重要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺。本书的设备部分对业界使用的主流设备进行了剖析，介绍了其原理结构、使用方法和工艺参数设置；材料部分介绍了包括光刻胶、抗反射涂层、抗水涂层和使用旋涂工艺的硬掩膜等材料的分子结构、使用方法以及必须达到的性能参数；仿真与计算光刻部分系统介绍了基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、亚曝光分辨率的辅助图形、光源—掩模协同优化和反演光刻技术。如何控制套刻误差是光刻技术领域公认的技术难点，本书设置了一章专门讨论曝光对准系统和控制套刻误差的方法。此外，书中还特别介绍了32nm及以下技术节点光刻工艺研究的新方法论、光刻工程师的职责以及如何协调各方资源保证研发进度等。 

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