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士兰微电子SDH859XAS系列原边控制电路内置高压MOS管
2016/6/12 8:51:21     

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【产通社,6月12日讯】杭州士兰微电子股份有限公司(Silan Microelectronics;上交所股票代码:600460)官网消息,其SDH859XAS系列AC-DC原边控制开关电源电路基于自有知识产权,采用PFM调制技术,实现精确的恒压/恒流(CV/CC)控制,效率和待机功耗满足DOE Level 6能效标准,广泛适用于手机充电器、小功率适配器及其他便携式设备充电器。


产品特点


SDH859XAS系列电路内置了高压MOS管,使用了自有的专利技术来实现高压启动功能,降低待机功耗以及提高转换效率。该系列电路具有外部可调的线损补偿和内置的峰值电流补偿等功能,可以确保精准的恒压/恒流(CV/CC)性能。该系列电路在确保待机功耗满足DOE Level 6能效标准的前提下,具有极佳的动态响应性能。此外,电路内部集成了VCC欠压/过压保护、输出短路保护、输出过压保护、过温保护、外部元器件开/短路保护等多重保护功能,以保证电路在整机生产和应用时的安全性和可靠性,延长其使用寿命。

SDH859XAS系列电路采用PSR反馈控制技术,无需外部光耦和431器件,并且环路补偿电容内置,极大的简化了外围,仅需极少的外围元器件即可构成完整的电源系统,大幅节省了系统耗电并缩小了电路板体积,有利于用户精简设计布局,降低开发和制造成本。同时,电路采用SOP7贴片封装形式,可以满足最高5V/2.4A的输出功率的小型化应用。

此外,该系列电路基于士兰微电子自行研发的0.8μm BiCMOS工艺制程设计及制造,工作电压范围宽,管脚ESD能力强,具有高可靠性。


供货与报价


查询进一步信息,请访问官方网站http://www.silan.com.cn。    (完)
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