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【产通社，5月4日讯】华灿光电股份有限公司（HC SemiTek Corporation；股票代码：300323）2015年年度报告显示，其报告期内研发项目总支出10,497.44万元，其中研究阶段支出为6,245.41万元，占营业收入6.54%，开发阶段支出为4,252万元，占营业收入4.45%。
截至报告期，公司拥有已授权专利62项，其中实用新型专利24项，发明专利37项，外观设计1项。另有54项专利申请正在审核过程中。公司已获授权的专利具体情况（序号、专利名称、专利号、类型、专利申请日、授权公告日、保护期）如下：
1 一种在蓝宝石衬底材料上外延生长AlXGa1-XN单晶薄膜的方法 ZL200610019545.2 发明 2006-7-5 2009-10-14 20年
2 一种避免或减少蓝绿光发光二极管材料的V-型缺陷的方法 ZL200610019720.8 发明 2006-7-26 2008-7-16 20年
3 增加内量子效率的半导体发光二极管的量子阱结构 ZL200610124789.7 发明 2006-10-18 2009-5-6 20年
4 一种氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体器件的电极 ZL200610166563.3 发明 2006-12-30 2008-7-16 20年
5 倒装焊发光二极管芯片的制造方法 ZL200710053027.7 发明 2007-8-24 2010-2-17 20年
6 氮化镓基发光二极管芯片 ZL200810047953.8 发明 2008-6-10 2011-1-26 20年
7 倒装焊发光二极管硅基板及其制造方法 ZL200810048739.4 发明 2008-8-8 2010-2-17 20年
8 具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片 ZL200810236734.4 发明 2008-12-9 2010-10-13 20年
9 在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法 ZL200810236950.9 发明 2008-12-22 2010-6-2 20年
10 带热沉的LED芯片及其制造方法 ZL200910062024.9 发明 2009-5-8 2011-4-14 20年
11 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 ZL200910062768.0 发明 2009-6-22 2012-5-30 20年
12 垂直结构发光二极管芯片结构及其制造方法 ZL200910272579.6 发明 2009-10-30 2012-1-25 20年
13 高效抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法 ZL201010181048.9 发明 2010-5-19 2012-10-3 20年
14 一种湿法腐蚀与干法刻蚀向结合图形化蓝宝石的方法 ZL201110078480.X 发明 2011-3-30 2012-11-7 20年
15 一种氮化镓基发光二极管多量子阱的生长方法 ZL201110258692.6 发明 2011-9-2 2013-3-27 20年
16 一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法 ZL201110199127.7 发明 2011-7-15 2013-3-6 20年
17 一种通过湿法剥离GAN基外延层和蓝宝石衬底来制备垂直结构发光二级管的方法 ZL201110217923.9 发明 2011-8-1 2013-9-4 20年
18 一种提高发光二极管外量子效率方法 ZL200910061316.0 发明 2009-3-27 2013-7-31 20年
19 倒装焊芯片 ZL200620099111.3 实用新型 2006-9-22 2007-12-12 20年
20 一种用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台 ZL201120414928.6 实用新型 2011-10-27 2012-8-1 20年
21 一种基于红绿光LED芯片的交通信号灯 ZL201120414930.3 实用新型 2011-10-27 2012-6-6 20年
22 侧光式背光模组 ZL201120414941.1 实用新型 2011-10-27 2012-6-6 20年
23 一种透明导电层和发光二极管 ZL201220338044.1 实用新型 2012-7-12 2013-2-13 20年
24 一种高压发光二极管芯片 ZL201220399415.7 实用新型 2012-8-13 2013-2-13 20年
25 一种发光二极管芯片 ZL201220476129.6 实用新型 2012-9-17 2013-3-27 20年
26 一种半导体探测器 ZL201220690685.3 实用新型 2012-12-12 2013-8-28 20年
27 氮化镓基发光二极管 ZL201320447686.X 实用新型 2013-7-25 2013-12-25 20年
28 一种GAN基探测器 ZL201320276416.7 实用新型 2013-5-20 2013-11-13 20年
29 一种提高发光二极管发光效率的方法 ZL201110258718.7 发明 2011-9-5 2014-4-30 20年
30 一种回收图形化蓝宝石衬底的方法 ZL201210056756.9 发明 2012-3-7 2014-7-9 20年
31 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管 ZL201210122392.X 发明 2012-4-25 2014-5-7 20年
32 LED芯片的制造方法 ZL201210093271.7 发明 2012-4-1 2014-12-24 20年
33 一种倒三角形发光二极管芯片的制作方法 ZL201210208670.3 发明 2012-6-21 2014-12-10 20年
34 一种正装结构的发光二极管外延片 ZL201320324998.1 实用新型 2013-6-6 2014-3-26 20年
35 一种发光二极管芯片 ZL201320613260.7 实用新型 2013-9-29 2014-3-26 20年
36 适用于LED测试机的辅助吹气装置 ZL201320569531.3 实用新型 2013-9-13 2014-3-5 20年
37 一种图形化的蓝宝石衬底 ZL201320703572.7 实用新型 2013-11-8 2014-5-7 20年
38 半导体发光器件 ZL201320746056.2 实用新型 2013-11-21 2014-5-7 20年
39 一种具有全方位反射镜的发光二极管 ZL201420022213.X 实用新型 2014-1-15 2014-7-16 20年
40 一种白光发光二极管LED及其LED芯片 ZL201420273414.7 实用新型 2014-5-26 2014-12-10 20年
41 一种白光发光二极管LED及其LED芯片 ZL201420273088.X 实用新型 2014-5-26 2014-10-29 20年
42 一种发光二极管芯片 ZL201420403829.1 实用新型 2014-7-22 2014-12-31 20年
43 半导体发光二级管及其制造方法 ZL201210056382.0 发明 2012-3-6 2015-6-24 20年
44 一种提高载流子复合效率的多量子阱中的垒的结构 ZL201210122393.4 发明 2012-4-25 2015-7-8 20年
45 一种GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法 ZL201210189941.5 发明 2012-6-11 2015-4-1 20年
46 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL201210224723.0 发明 2012-7-2 2015-5-20 20年
47 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL201210240976.7 发明 2012-7-12 2015-9-23 20年
48 一种晶圆的裂片装置和方法 ZL201210273144.5 发明 2012-8-2 2015-4-22 20年
49 一种发光二极管的芯片及该芯片的制备方法 ZL201210563894.6 发明 2012-12-21 2015-12-9 20年
50 一种提高GaN基LED发光效率的外延方法 ZL201210299221.4 发明 2012-8-22 2015-2-11 20年
51 一种发光二极管芯片的外延层生长方法 ZL201210312441.6 发明 2012-8-29 2015-12-9 20年
52 一种发光二极管的外延片以及发光二极管 ZL201210384250.0 发明 2012-10-10 2015-9-30 20年
53 一种蓝绿光二极管外延片及其制造方法 ZL201210394267.4 发明 2012-10-17 2015-4-22 20年
54 LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME US9087933 PCT 2012-7-27 2015-7-21 20年
55 一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL201210544495.5 发明 2012-12-13 2015-4-1 20年
56 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL201210546009.3 发明 2012-12-14 2015-12-9 20年
57 一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL201310040746.0 发明 2013-2-1 2015-10-28 20年
58 一种发光二极管芯片 ZL201420430020.8 实用新型 2014-7-31 2015-1-21 20年
59 一种高压发光二极管芯片 ZL201420842450.0 实用新型 2014-12-25 2015-5-6 20年
60 一种发光二极管外延片 ZL201520046892.9 实用新型 2015-1-23 2015-12-30 20年
61 一种合金炉 ZL201520064562.2 实用新型 2015-1-30 2015-7-8 20年
62 发光二极管芯片 ZL201530148119.9 外观设计 2015-5-18 2015-11-11 20年
查询进一步信息，请访问官方网站 http://www.hcsemitek.com。 （完）
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