【产通社，3月21日讯】台湾集成电路制造股份有限公司（TSMC；TWSE: 2330；NYSE: TSM）官网消息，其与ARM公司（LON: ARM; Nasdaq: ARMH）达成一项为期多年的协议，针对7nm FinFET制程技术进行合作，包括支持未来低功耗、高效能运算系统单芯片（SoC）的设计解决方案。这项新协议将扩大双方长期的合作伙伴关系，推动先进制程技术向前迈进，超越行动产品的应用并进入下一世代网络与数据中心的领域。另外，这项协议延续先前采用ARM Artisan基础实体IP之16nm与10nm FinFET的合作。

ARM执行副总裁暨产品事业群总经理Pete Hutton表示：“既有以ARM为基础的平台已展现提升高达10倍运算密度的能力，支持特定数据中心的工作负载，未来ARM特别为数据中心与网络架构量身设计，并针对台积公司7nm FinFET进行优化的技术，将协助双方客户在各种不同效能产品上皆能使用业界最低功耗的架构。”

台积公司研究发展副总经理侯永清博士表示：“台积公司持续投入先进制程技术的研发以支持客户事业的成功，藉由7nm FinFET制程，我们的制程与设计生态环境解决方案已经从行动扩大到高效能运算的应用。客户设计的下一世代高效能运算系统单芯片将受惠于台积公司领先业界的7nm FinFET制程。相较于10nm FinFET制程，7nm FinFET制程将在相同功耗下提供更多的效能优势，或在相同效能下提供更低的功耗。ARM与台积公司共同优化的解决方案将能够协助客户推出具有颠覆性创新且市场首创的产品。”

此项最新协议奠基于ARM与台积公司先前在16nm FinFET与10nm FinFET制程技术成功的合作基础之上。台积公司与ARM长期保持合作，共同创新，提供先进的制程与硅智财来协助客户加速产品开发周期。近期成果包括客户及早使用Artisan实体IP及采用16奈米FinFET 与10奈米FinFET制程完成的ARM Cortex-A72处理器设计定案。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.tsmc.com.tw，以及http://community.arm.com。    （完）