【产通社，2月17日讯】中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC；NYSE股票代码：SMI；HKEX股票代码：981）官网消息，其28nm高介电常数金属闸极（HKMG）制程已成功流片，基于此平台，联芯科技推出适用于智能手机等领域的28nm SoC芯片，包括高性能应用处理器和移动基带功能，目前已通过验证，准备进入量产阶段。

中芯国际是中国大陆首家能够同时提供28纳米多晶硅（PolySiON）和HKMG制程的晶圆代工企业。与传统的PolySiON制程相比，中芯国际28nm HKMG技术将有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。基于中芯国际28nm HKMG制程平台，联芯科技推出的智能手机SoC芯片拥有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗，CPU主频达1.6GHz。延续联芯科技在4G移动通信市场的佳绩，该芯片的面世将推动搭载“中国芯”的智能手机进一步扩大市场份额。

中芯国际CEO兼执行董事邱慈云表示，“很高兴能与联芯科技在28nm HKMG平台进行合作，共同打造先进的智能手机SoC芯片。继采用中芯国际28纳米PolySiON制程的芯片加载主流智能手机后，我们的28nm HKMG工艺也获得了终端客户的认可，商用在即。我们还将持续进行28nm技术平台的开发及改善，预计将在2016年底推出基于HKMG制程的紧凑加强型版本，为客户提供更多优化的制程选择。”

联芯科技总经理钱国良表示，“联芯科技始终致力于3G/4G移动互联网终端核心技术的研发与应用，并坚持与产业链合作伙伴一起紧密协作，打造品质一流的芯片产品。此次与中芯国际在28nm HKMG领域的合作，可谓产业协同，强强联合，将有力地推动国产芯片技术的发展。同时，此举将直接帮助联芯科技的芯片产品进一步提升性价比，服务于智能手机、智能汽车，以及机器人等领域，服务‘中国制造2025’。未来，我们还将与中芯国际继续强化合作，在更先进的技术节点上共同开发高性能的芯片产品。”

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.smics.com/chn/press/press_releases_details.php?id=333660。    （完）