【产通社，2月10日讯】富士电机（中国）有限公司（Fuji Electric China）官网消息，其即将发售High-Speed W系列功率半导体——高速分立器件IGBT。


产品特点


近年来，随着全球能源需求的增长，市场对这些工业或通讯器材的节能需求也日益提高，同时还极力追求机器本身的小型化、节约占地面积。此次发售的高速分立器件IGBT产品便吻合了上述市场需求。

High-Speed W系列主要特点包括：
（1）降低电耗、促进节能。功率半导体通过反复不停的开关（电气的开/关切换）操作将直流转换成交流，并进行电压控制等。本次发售的新产品由于做到了IGBT芯片的薄型化和微细化，较以往产品（High-Speed V系列）相比，开关动作时的电耗（关断损耗）减少了大约40%，从而实现了机器设备的节能和电力成本下降。
（2）实现机器小型化。通过降低开关动作时的损耗（控制发热量），较以往产品（20kHz左右）相比可以对应更高的开关频率（20-100kHz）。由此实现了机器设备外围部件（线圈、变压器）的小型化、机器设备本身的小型化和整体成本的降低。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.fujielectric.com.cn。    （完）