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Vishay采用SuperTan技术的新型HE3液体钽高能电容器
2007/7/9 23:32:35     Vishay

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Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)7月9日宣布推出在市场上所有类似器件中具有最高电容的新型液体钽高能电容器。HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计,可在高能应用中提高可靠性及性能。Vishay的HE3专门针对高可靠性航空电子及军用设备中的能量存储及脉冲功率应用而进行了优化,该器件采用密封的纯钽封装,可在高压力及恶劣环境中使用。

该设计采用可提高可靠性及性能的独特双密封技术,并且具有3300μF~72000μF的电容范围,在所有液体钽电容器中,这是每单位体积的最高电容。通过利用Vishay业经验证的SuperTan混合阴极技术以及业界领先的正极设计,HE3代表了液体钽电容器技术的重大突破。在+25°C、1kHz时,其ESR值为超低的0.035欧。

该新型电容器的工作温度范围介于–55°C~+85°C。在120Hz、+25°C时,其标准电容容差为±20%,此外还可提供±10%的容差。样品及量产批量将于2007年6月提供,大宗订单的供货周期为8~10周。销售联络,请访问http://www.vishay.com/mosfets/sales;更多信息,请访问http://www.vishay.com/company/press/releases/2007/070709he3/

    (完)
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