【产通社，12月23日讯】应用材料公司（Applied Materials；纳斯达克股票代号: AMAT）官网消息，张崇平博士荣膺2016年IEEE（国际电机电子工程师学会）院士，张博士负责公司与大学及产业联盟的策略性对外研究业务。张博士因研究“CMOS技术的替代栅极和浅沟槽隔离”贡献卓著，其研究对集成电路（IC）制造的进展深具影响。IEEE院士评等是IEEE董事会依会员个人在IEEE各个工程领域的杰出记录予以颁赠。IEEE院士是最高的会员资格，被科技界视为一项崇高殊荣，也是重要的事业成就。每年所评选出的院士总数不能超过总投票成员的千分之一。

应用材料公司资深副总裁暨技术长奥姆．纳拉马苏（Om Nalamasu）博士表示：“张博士卓越的研究协助业界于CMOS微缩技术实行新方法，对我们每天所使用的电子产品在效能、功能及尺寸上，贡献良多。张博士获此殊荣乃实至名归，同时感谢他带领应用材料公司与大学及联盟各种协同合作的努力。”


专家简介


张博士拥有的杰出技术贡献，以及丰富的半导体业界服务横跨近30年。在贝尔实验室工作期间，他所带领的先驱性研究，协助业界中通过CMOS技术史上最显著的晶体管之一，及至今日，几乎所有的CMOS逻辑组件，包括鳍式晶体管（FinFET），皆采用替代栅极技术。此外，张博士在早期的研究职涯对沉积、蚀刻与先进电浆处理技术也贡献良多。

张博士在另一重要领域即先进浅沟槽隔离（STI）也有显著贡献。他早期的一项详尽研究显示，改变沟槽顶部角的形状，有助于解决缺陷密度、漏电流和组件的临界电压控制等的严重问题。该项研究对STI在主流CMOS制造的稳健性和世代可延续性具有长期影响，在某种程度上，甚至也影响近年所问世的重大CMOS制程技术，多也引用张博士及其团队所开发的STI顶角工程技术。


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