【产通社，12月15日讯】中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC；NYSE股票代码：SMI；HKEX股票代码：981）官网消息，其将采用円星科技（M31 Technology Corporation）差异化高速接口IP，针对固态硬盘（SSD）、通用快闪存储器（UFS）与USB闪存盘，推出多样化的存储控制器应用IP解决方案。基于中芯国际从110nm到28nm的逻辑工艺技术，此存储控制器应用平台可协助客户实现低功耗、高性能和小晶片面积的产品设计，同时推动中芯国际的工艺平台实现更多差异化的应用。

针对固态硬盘（SSD）市场，中芯国际40nm低漏电工艺采用円星科技所开发的新一代PCIe 3.0物理层IP，此IP已与多家厂商的控制器搭配测试并符合PCI-SIG的规范，针对不同带宽需求，提供1 lane, 2 lane以及4 lane的选择，协助客户快速开发出能够支持PCle 3.0固态硬盘的芯片。此外，中芯国际预计将在28nm先进工艺采用PCIe 3.0物理层IP，提供客户更快速度、更省功耗的解决方案。

由于通用快闪存储器2.0（Universal Flash Storage；UFS 2.0将成为新一代内嵌式存储器的主流规格，中芯国际55nm LL工艺采用円星科技开发的MIPI M-PHY物理层IP，具备高带宽能力与低功耗特性，已与多家厂商的控制器搭配测试并通过UFS 2.0的系统验证。另中芯国际预计将在28nm HK工艺与40nm LL工艺采用円星科技的MIPI M-PHY物理层IP，除了可支持双通道技术之外，更支持极端省电的休眠模式，尤其适合新一代的行动装置使用。

在USB闪存控制器产品应用上，円星科技自行开发的BCK（Built-in-Clock；内建频率）技术，为行动装置芯片提供无石英震荡器（Crystal-less）的解决方案，已在中芯国际55nm和110nm工艺协助客户导入量产。新一代的BCK技术除了支持传统USB 1.1/2.0/3.0装置端之外，也支持32.768KHz的频率输入, 除了能扩大BCK技术至USB主机端的应用之外，其低功率消耗的特性，也满足了物联网应用的需求。

随着Type-C接口的普及，円星科技正在中芯国际28nm及40nm工艺上开发USB3.1/USB3.0 PHY IP，将原本需要外接的高速交换器（High-speed switch），内建于PHY IP之中来支持无方向性的插拔，同时也支持不同VBUS组态的侦测，已成功导入客户的产品设计。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.smics.com，以及http://www.m31tech.com。    （完）