【产通社，12月5日讯】中国科学院微电子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官网消息，由工业和信息化部、科技部、国家知识产权局、中国科学院、中国国际贸易促进委员会和湖北省人民政府主办的第十二届武汉光博会暨第十一届湖北省产学研会11月12-14日在武汉举办。微电子所中科新芯三维存储器研发中心与武汉新芯集成电路制造有限公司合作研发的先进3D NAND型闪存存储器芯片亮相大会。 

本次展会采用实物展示、展板展示和互动演示交流等形式，集中展示了中科院相关研究所不同领域的100余项最新科技成果，其中中科新芯三维存储器研发中心与武汉新芯集成电路制造有限公司合作研发的先进3D NAND型闪存存储器芯片实物展示和宣传展板吸引了大批参会者驻足参观。该技术成果是微电子所充分发挥产—研联合研发新模式的优势与潜力，经过近8个月的技术攻关，与武汉新芯集成电路制造有限公司联合研发的首款具备9层存储结构的三维存储器件。微电子所科研人员承担了工艺流程设计、关键工艺模块开发、存储器测试芯片设计等重要任务。测试结果显示，该款芯片实现了预期的数据存取功能。这一重要突破标志着我国首次自主研发的产品级三维存储器工艺流程顺利贯通。 

展会期间，中科新芯三维存储器研发中心向与会领导、企业代表和观众详细介绍了微电子所产—研联合研发新模式，获得了高度认可，形成了良好的示范效应。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.ime.cas.cn。    （完）