【产通社，11月5日讯】恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.；纳斯达克：NXPI）官网消息，其全新TrEOS保护系列产品系列集超低容值、低钳位电压、超强ESD抗打击及防浪涌能力能力于一身，这三大关键能力参数在工作时同时呈现最优指标，目前在业界尚属首次，因此特别适用于包括USB Type-C在内的超高速传输接口，为其应用提供最全面的ESD保护。

恩智浦半导体标准产品事业部大中华区市场部资深总监林玉树先生表示：“随着智能互联和大数据时代的到来，移动互联设备在全球包括中国市场日益普及，人们对视频、大数据等的大流量高速传输需求与日俱增。USB Type-C等超高速接口也开始应用于越来越多的主流智能手机、计算机、便携设备、可穿戴设备等。这些新型超高速接口非常敏感，因此我们针对ESD保护的三大关键参数（Cd,Vcl,VESD）进行同时最优化，开发了TrEOS ESD系列保护器件，提供超高速接口所需的特殊保护，帮助产品实现完美设计，令中国智能互联产业相关的设备厂商从中受益。”


产品特点


TrEOS ESD保护系列是恩智浦新开发的业界标杆产品。业界在ESD保护器件的容值、钳位电压、ESD抗打击和防浪涌能力等关键参数中，改进某一项关键参数通常会对其他参数产生负面影响。而对于USB Type-C等超高速传输接口应用，则需要在上述所有参数都达到最佳性能。恩智浦的TrEOS保护系列可以同时做到三大关键参数最优，从而提供最佳保护性能，成为针对智能手机、便携设备、可穿戴、互联汽车、物联网等领域的USB Type-C、HDMI等超高速接口应用的理想ESD保护解决方案。

恩智浦的TrEOS ESD保护同时提供多种单路ESD和多路ESD 产品选择，基于其解决方案可满足客户不同的ESD器件尺寸需求，为各类设备的超高速传输接口提供全面的ESD保护，包括USB Type-C等，以及ESD敏感的各种SoC等。主要特性包括：
  ·超低容值Cd：应用低至0.10pF（典型值）的超低电容，信号完整性可达到超高速10 Gbps标准；
  ·低钳位电压Vcl：低至0.10Ω（典型值）的超低动态电阻，用于极低钳位电压保护敏感SoC；
  ·强ESD抗打击能力VESD和防浪涌能力Ippm：高ESD耐用性可达20kV接触放电，高于IEC 61000-4-2第4级保护要求，高抗浪涌性Ippm可达9A（8/20μs脉冲IEC61000-4-5）。


供货与报价


全新TrEOS保护系列包括多路ESD产品和单路ESD产品。多路ESD产品包括六路ESD产品PUSB3FR6和PUSB3AB6、和四路ESD产品PUSB3FR4等，采用小型无引脚DFN2111-7（SOT1358-1）和DFN2510A-10（SOT1176-1）塑料封装，针对直布线而设计，可优化信号完整性和简化电路板布局。单路ESD产品包括双向ESD产品PESD5V0C1BSF、PESD5V0H1BSF、PESD5V0R1BSF、PESD3V3C1BSF和单向ESD产品PESD5V0C1USF，采用0201 SOD962极小尺寸（DSN0603-2），适合PCB布线空间受限的应用，比如智能手机、平板电脑和其它便携式系统。这些产品系列目前已经量产上市。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nxp.com。    （完）