【产通社，9月24日讯】联华电子股份有限公司（NYSE: UMC; TWSE: 2303）消息，其已采用0.11μm eFlash制程量产触控IC应用产品。此特殊技术最初于2012年底于联华电子推出，是为晶圆专工业界第一个结合12V与纯铝后段（BEoL）制程，以因应次世代触控控制器及物联网应用产品的需求。在整合更高密度嵌入式闪存与SRAM，以便用于各尺寸触控屏幕产品的微控制器时，0.11μm制程可提供比0.18μm制程更小更快的逻辑组件，并可达到更高效能。

联华电子市场营销处资深处长黄克勤表示：“触控面板已是今日电子产品主流的操作接口。联华电子触控平台解决方案其中一项重要特点，就是我们的0.11μm eFlash解决方案，包含了可提供芯片设计公司的专有闪存macro设计服务。并藉由结合铝后段制程来提供最佳成本效益，服务高度竞争的触控IC市场。此外，就如本公司0.18μm eFlash制程一样，12V可满足今日更大尺寸触控屏幕，与浏览网页时在触控屏幕上悬浮触控（hover）应用的高信噪比需求。”

联华电子0.11μm触控IC平台与现今广泛采用的3.3V解决方案相比，信噪比可改善超过三倍，可驱动芯片设计公司创造新世代更先进的触控产品。联华电子拥有制造触控控制器IC的丰富经验，有超过30家生产中的触控客户，每月出货量逾4000万颗IC。0.11μm制程以8吋晶圆制造，并采用纯铝后段技术，使触控芯片设计公司能够享有更低的一次性工程费用与相关成本，以提高市场竞争力。

联华电子同时提供自行研发的闪存硅智财，协助加速产品上市时程并促进客制化，以因应当今市场趋势。联华电子也开发极低漏电制程（uLL），进一步降低组件与SRAM的核心电流达最高4倍。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.umc.com。（richard yu，UMC）    （完）