【产通社，7月23日讯】应用材料公司（Applied Materials, Inc.；纳斯达克代号: AMAT）官网消息，其下一代刻蚀设备Applied Centris Sym3刻蚀系统设有全新的反应腔，可实现原子级精度工艺。为了克服芯片内部特征差异，Centris Sym3系统超越了现有的蚀刻技术，大幅改善了蚀刻的可控性和精准度，提供给芯片制造商制造先进内存和逻辑芯片的密集型三维结构

应用材料公司蚀刻业务部门副总裁兼总经理Raman Achutharaman博士表示：“凭借我们在蚀刻技术领域20多年的研究成果，以及在精密材料清除工艺方面的专业经验，采用完全全新设计的Sym3系统能够解决行业内现有以及未来即将面临的诸多挑战。由于客户需求十分强劲，该新系统成为应用材料公司历史上应用率上升最快的蚀刻设备，目前在许多领先的晶圆厂都已完成产量爬坡。”

产品特点

Centris Sym3蚀刻系统的反应腔采用了应用材料公司独创的True Symmetry技术，具有多个调准控制头，能将全球工艺一致性地优化至原子级水平。该系统的设计关键是对影响芯片内图形一致性的蚀刻副产品进行了有效控制和清除，减少其再沉积，从而解决了刻线边缘粗糙、负载效应以及缺陷等阻碍新技术节点发展的一系列挑战。此外，先进的射频技术能有效控制离子能量和角度分布，从而使高深宽比三维结构实现无与伦比的垂直分布。

Centris Sym3平台配备6个刻蚀反应腔和2个等离子清洗腔，并配有系统智能监控软件，确保每个刻蚀反应腔的所有工艺都能保持精确匹配，从而实现可重复、高效率的大批量生产。

供货与报价

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