【产通社，7月21日讯】联华电子股份有限公司（NYSE: UMC; TWSE: 2303）消息，其用于AMD旗舰级绘图卡Radeon R9 Fury X的联华电子硅穿孔（TSV）技术，已经进入量产阶段，此产品属于AMD近期上市的Radeon R 300绘图卡系列。AMD Radeon R9 Fury X GPU采用了联华电子TSV制程以及晶粒堆栈技术，在硅中介层上融合连结AMD提供的HBM DRAM高频宽存储器及GPU，使其GPU能提供4096位元的超强记忆体频宽，及远超出现今GDDR5业界标准达4倍的每瓦性能表现。

联华电子市场营销副总暨TSV技术委员会共同主席简山杰表示：“AMD致力于将顶尖GPU产品带入市场，具有丰富的成功经验。这次量产里程碑彰显了我们与AMD在TSV技术上紧密合作下的成果，我们很荣幸能运用此技术的性能优势，协助AMD强化其新一代GPU产品。展望未来，联华电子期盼与AMD继续携手，延续这份成果丰硕的伙伴关系。”

AMD资深院士（senior fellow）Bryan Black表示：“从开始研发以至量产阶段，联华电子皆采用创新技术打造客户产品，这是AMD选择联华电子合作硅中介层及相关TSV技术的关键因素。联华电子此次顺利将TSV技术运用在AMD最新的高效能GPU上，再次证明了其坚实的专业能力。本公司很荣幸能拥有联华电子作为我们的供应链伙伴，协助我们推出全新Radeon系列产品。”

AMD提供的GPU与HBM堆栈晶粒，皆置放于联华电子TSV制程的中介层上，透过CMOS线路重布层（redistribution layer）与先进的微凸块（micro-bumping）技术，这些芯片之间可于中介层彼此连通，因此得以实现AMD Radeon R9 Fury X绝佳的效能与位面积。AMD的TSV硅中介层技术系于联华电子位于新加坡的12吋特殊技术晶圆厂Fab 12i制造生产。

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