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安森美半导体AR0136AT CMOS图像传感器采用BSI技术
2015/7/14 9:31:11     

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【产通社,7月13日讯】安森美半导体(ON Semiconductor;美国纳斯达克上市代号:ON)消息,正扩展受高度评价的1/3吋100MP图像传感器产品阵容,推出以公司首款背照式(BSI)传感器技术的早期样品用于汽车成像市场。相较当前领先市场用于先进驾驶辅助系统(ADAS)的AR0132AT CMOS图像传感器,该创新的新的BSI传感器技术提供好4倍的微光信噪比,增加40%的可见光灵敏度,和提升超过60%的近红外(NIR)性能。

安森美半导体汽车和扫描分部副总裁Sandor Barna说:“这新的BSI技术带给汽车市场的优势是令人兴奋的。基于此技术的最先进的BSI器件,我们是提供早期样品阶段,它具备真正领先业界的微光性能,彰显我们持续投资于汽车成像技术的承诺。”


产品特点


首款采用这新技术的产品将是AR0136AT 1/3吋光学制式CMOS数字图像传感器,提供1280×960的分辨率和3.75μm BSI像素。AR0136AT支持线性和高动态范围(HDR)模式,是一个单芯片HDR方案,在HDR模式下具有120dB动态范围。

新器件输出像素率为74.25MP/秒(最大值),由此产生的帧率为在960p分辨率时的45fps和在720p分辨率时的60fps。


供货与报价


新器件工作结温范围是-40°C至125°C,符合AEC-Q100,工程样品将于2015年第三季度提供,计划于2016年初量产。查询进一步信息,请访问官方网站http://www.onsemi.cn。(Sissi Xi,博达公关)

    (完)
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