【产通社，6月23日讯】联华电子股份有限公司本（NYSE: UMC; TWSE: 2303）消息，其与ARM合作基于联华电子14nm鳍式场效晶体管（FinFET）制程生产的PQV测试芯片已经设计定案（tape out），代表ARM Cortex-A系列处理器核心通过联华电子高阶晶圆制程验证。此14nm合作案延续自双方成功将ARM Artisan实体IP整合至联华电子28nm高介电金属闸极（High K/Metal gate）量产制程。

联华电子14nm FinFET制程技术验证，是联华电子FinFET制程启动其他IP生态系统的第一步，包括基础IP硅智财（foundation IP）和ARM处理器实体设计。

ARM实体IP设计事业部总经理Will Abbey表示：“ARM和联华电子已在数个技术世代上持续合作，且成果卓越。采用联华电子14nm FinFET制程的Cortex-A系列核心测试芯片正式设计定案，对我们来说十分振奋。ARM与联华电子将针对此高阶制程技术的研发持续保持紧密合作。”

联华电子负责硅智财开发与设计支援的王国雍副总表示：“在联华电子准备向客户提供14nm FinFET制程之际，建立强大的设计支援基础以强化14nm平台的整体效益是至关重要的。ARM是先进制程的IP硅智财全球领导供应商，我们很高兴能够延续先前的成功经验，将Artisan实体IP以及Cortex处理器解决方案纳入联华电子14nm制程。”

联华电子14nm FinFET制程已经展现卓越的128mb SRAM产品良率，并预计于2015年底接受客户设计定案（tape-out）。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.umc.com。（金百佳/Judy Jin）