【产通社，6月8日讯】Vishay Intertechnology公司（NYSE股市代号：VSH）官网消息，其三款新的600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有低反向恢复电荷和导通电阻，在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性，并且节能。

产品特点

这些600V快速体二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造，充实了Vishay现有的标准E系列器件，使公司有更多的器件可用于类似移相 全桥和LLC半桥的零电压开关（ZVA）/软开关拓扑。在这些应用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢复电荷（Qrr）比标准MOSFET低十倍的优势，提高了可靠性。这些器件因此能够更快地防止电压击穿，有助于避免直通击穿和热击穿。

21A SiHx21N60EF有四种封装，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有两种封装。器件分别具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低导通电阻和低栅极电荷。这意味着在太阳能逆变器、服务器和通信电源、ATX/Silver box计算机开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器和半导体生产设备中的高功率、高频开关应用里，可实现极低的导通和开关损耗。

这些器件能够承受雪崩和换流模式里的高能脉冲，保证通过100%的UIS测试。这些MOSFET符合RoHS，无卤素。

供货与报价

新的EF系列MOSFET现可提供样品，将在2015年2季度实现量产，大宗订货的供货周期为18-20周。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.vishay.com。