【产通社，5月29日讯】亚德诺半导体公司（Analog Devices, Inc.；NASDAQ: ADI）官网消息，其ADuM4135隔离式IGBT栅极驱动器可提高工业电机控制应用的电机能效、可靠性和系统控制性能。利用ADuM4135，客户产品将符合IE3和IE4电机效率标准，从而与电机控制和电网逆变器均转向更高频率切换技术的业界趋势保持一致。安全特性包括集成米勒箝位和去饱和检测。

产品特点

单封装ADuM4135集成ADI公司备受赞誉的iCoupler数字隔离器技术，通过成熟的电流隔离技术来确保安全性和可靠性，同时实现业界最佳的特性组合——CMTI（共模瞬变抗扰度）为100kV/µs且传播延迟为50ns（典型值）。

系统设计人员可以利用ADuM4135栅极驱动器的低传播延迟和偏斜来缩短低高端切换之间的死区时间，从而将损耗降至最低并改善系统整体性能。突破性的CMTI性能和低传播延迟还支持新型功率开关技术，包括SiC和GaN，以便在瞬变更大的系统中使用更高的开关频率。ADuM4135采用16引脚宽体SOIC封装，提供8mm的爬电距离和电气间隙。

ADuM4135隔离式栅极驱动器主要特性包括：
 ·4A峰值驱动输出能力；
 ·输出功率器件电阻<1欧姆；
 ·去饱和保护；
 ·隔离去饱和故障报告；
 ·故障时软关断；
 ·带栅极检测输入的米勒箝位输出；
 ·隔离故障和就绪功能；
 ·低传播延迟（典型值50ns）/延迟偏斜（典型值15ns）。

供货与报价

ADuM4135采用16引脚宽体SOIC封装，现在已经供货，2015年6月全面产量，千片订量报价2.26美元/片；评估板EVAL-ADuM4135EBZ报价为50.00美元/片。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.analog.com/chin。

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ADI HMC1118LP3DE SPDT开关建立时间比GaAs快100倍

【产通社，5月29日讯】亚德诺半导体公司（Analog Devices, Inc.；NASDAQ: ADI）官网消息，其专门用于9KHz至13GHz频段的吸收式单刀双掷（SPDT）开关HMC1118LP3DE，具有48dB的高隔离度，在8GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗，非常适合要求苛刻的测试和测量、自动化测试设备、国防电子产品、无线通信应用，充当传统GaAs开关的更低成本替代产品。

产品特点

HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品，展现了硅工艺技术的固有优势，与传统的GaAs（砷化镓）RF开关相比具有重大明显优势。这些优势包括：建立时间比GaAs快100倍；提供强大的ESD保护（达到2000V，而GaAs仅为250V）；能够扩展开关的低频端，比GaAs低1000倍，同时保持高线性度。 

HMC1118LP3DE还提供4W的业界领先RF功率处理能力，在热切换工作模式下达到0.5W。它的热切换功率处理能力超出了具有相同RF带宽的竞争器件的两倍，这使工程师能够在他们的应用和系统中提高RF功率，而不会产生器件损坏的风险HMC1118LP3DE专为高隔离度进行了优化，在最大13GHz的宽工作频率范围内提供极其平坦的传递特性，同时保持最低9kHz的高信号保真度。

HMC1118LP3DE SPDT开关的主要特性包括：
 ·非反射式50欧姆设计；
 ·正控制：0/+3.3V；
 ·低插入损耗：0.68dB（8GHz时）；
 ·高隔离度：50dB（8GHz时）；
 ·9KHz的低截止频率；
 ·7.5微秒的快速建立时间（对于0.05dB的最终RF输出电平）；
 ·业界领先的高功率处理能力：35.5dBm的通过路径，27dBm端接路径和热切换应用；
 ·高线性度：P1dB：+37dBm（典型值）；
 ·IIP3：+61dBm（典型值）；
 ·ESD额定值：2KV HBM。

供货与报价

 
HMC1118LP3DE采用3×3mm QFN SMT封装，千片订量6.18美元/片。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.analog.com/chin。