【产通社，5月25日讯】应用材料公司（Applied Materials, Inc.；纳斯达克代号: AMAT）官网消息，其Applied Endura Cirrus HTX物理气相沉积（physical vapor deposition，PVD）系统采用突破性硬掩模技术，可支持10nm及更小的铜互连图形生成。芯片尺寸的不断缩小需要更先进的硬掩模技术，从而保证紧凑、微型互连结构的完整性。随着这一全新技术的推出，应用材料公司成功延续氮化钛（titanium nitride，TiN）金属硬掩模，满足未来先进微芯片铜互连图形生成的需求。

应用材料公司金属沉积产品业务部副总裁兼总经理Sundar Ramamurthy博士表示：“解决先进互连图形生成的挑战是金属硬掩模（metal hardmask）精密工程领域的关键。应用材料公司过去数十年来始终致力于将PVD技术应用于TiN膜工程领域，Cirrus HTX TiN系统的推出是我们的又一大创新力作。结合我们独特的VHF技术，这款新产品使客户能灵活地调整TiN硬掩模的压缩和拉伸应力，从而克服系统整合方面的具体挑战。”

当今的先进微芯片技术能够将20km长的铜线装入100mm2的狭小空间内，将其堆叠成10层，在层与层之间有多达100亿个通孔或垂直互连。金属硬掩模的作用是保持这些软ULK电介质中的铜线和通孔的图形完整性。然而，随着芯片尺寸的不断缩小，传统TiN硬掩膜层的压缩应力可能会导致ULK薄膜中的狭窄铜线图案变形或倒塌。以Cirrus HTX沉积的TiN硬掩膜则提供了独特的应力调节功能，这一特殊性能加上良好蚀刻选择性，实现优异的的关键尺寸（critical dimension，CD）线宽控制及通孔对准，从而提高产品良率。

TiN硬掩模技术的突破主要归功于硅片生产中的精密材料工程，使其制造出高密度、低应力的薄膜。在久经市场考验的Endura平台上，结合了兼具膜厚度均匀性和低缺陷率，Cirrus HTX系统能够满足多互联层图形生成的大规模量产需求带来的严峻挑战。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.appliedmaterials.com。