【产通社，5月18日讯】联华电子股份有限公司（NYSE: UMC; TWSE: 2303）消息，其在ARM Artisan实体IP解决方案方面取得新进展，这将加速以ARM处理器为核心的嵌入式系统和物联网相关应用蓬勃发展。该55纳米超低功耗制程（55ULP）技术已成为低耗能物联网应用的最佳解决方案，新推出的实体IP产品将有助于芯片设计团队，加速并简化为物联网和其他嵌入式系统开发ARM系统单晶片（SoC）。

ARM实体IP设计事业部总经理Will Abbey指出：“完整的实体IP基础平台对联电55ULP制程实现物联网应用低功耗和低成本设计至关重要。针对低功耗所需的最佳化元件库，ARM和联电提供SoC工程师一套完善的全新开发工具。”

联华电子硅智财研发暨设计支援处资深处长林世钦表示：“物联网芯片工程师经常被要求以更快的速度，设计出更省电的高度整合解决方案。联华电子拥有晶圆专工产业最强大的物联网专用55奈米技术平台，全面且完整的IP资源可以满足物联网产品永远连线且超低耗电的要求。联电55ULP平台纳入Artisan实体IP之后，可立即增加工具选项，有助于降低设计复杂度和加速上市时程。”

产品特点

对许多讲求低耗电的应用而言，尽可能最大化电池使用寿命是成功设计的关键。Artisan实体IP平台将强化联华电子的ULP技术，最大化电源效率和降低漏电功耗。主要功能如支援厚闸极氧化层（thick gate oxide）和多通道长元件库，让SoC工程师能运用各种工具实现物联网应用的最佳化设计。

Artisan元件库将支援：
  ·0.9V超低电压范围，和1.2V电压范围操作相比，最高可节省44%动态电力和25%漏电功耗。
  ·多通道元件库提供各种临界电压（Vt）选项，可让SoC工程师在漏电功耗和效能之间有多种组合选择。长通道元件库可进一步降低高达80%的漏电。电源管理工具组（PMK）可减少动态电力和漏电的损失。
  ·创新的厚闸极氧化层元件库可大幅降低不断电元件（always ON cells）的漏电值（比一般标准电路低350倍）。此元件库可与较高电压（包括物联网装置使用的电池电压）连接，因此还具备了免装电压调节器的优势。
  ·次世代高密度存储器编译器提供多重电力整合模式，在极小化待机漏电功耗时保留存储状态。运用这些模式，SoC工程师可比一般待机减少高达95%的漏电。

供货与报价

联华电子55ULP实体IP即日起于ARM DesignStart网站供货。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.umc.com。