英特尔公司11月18日宣布，开始量产供应业界第一款90纳米多层单元(Multi-Level Cell，MLC)NOR快闪记忆体。新款Intel StrataFlash Cellular Memory (M18)元件提供较先前130纳米版本元件更快的效能、更高的密度、以及更低的耗电量，满足具有相机、彩色萤幕、Web浏览以及影片播放等多功能手机的需求。
    英特尔公司副总裁暨快闪产品事业群总经理 Darin Billerbeck表示：“快闪记忆体是推动新一代手机应用的重要技术。M18元件为手机设计人员提供独特的效能、密度与低耗电的组合，满足现今手机的需求。此外，M18采用英特尔可靠且具价格竞争力的第五代MLC技术以及90纳米制程。”
    M18提供业界最快的读取速度，让新款快闪记忆体达到与新一代手机晶片组一样的汇流排时脉——最高达133MHz。由于晶片组与记忆体之间的互动速度较130纳米版本的元件高，这种速度更符合使用者应用的需求。M18的写入速度高达每秒0.5MB，能支援3MP(百万像素)相机与MPEG4格式的影片。出厂前编程速度较先前的130纳米版本快三倍，让OEM厂商享受更低的生产成本。与前一代产品相较之下，M18编程时消耗的电力只有三分之一，删除资料时消耗的电力只有二分之一，并提供新开发的Deep Power Down运作模式，这些都有助于提高电池续航力。M18亦提高NOR快闪元件密度，单晶片解决方案可达256Mb与512Mb的容量，标准堆叠式封装解决方案可达1Gb。英特尔领先业界的标准堆叠技术透过多个汇流排架构结合NOR与RAM，改善OEM厂商的上市时程以及供应通路的弹性。
    英特尔现正与手机产业的厂商合作，协助客户缩短整合时间、提升效能、以及打造出最佳化的参考设计平台。Billerbeck表示，英特尔与各大手机晶片组厂商合作，例如ADI、飞利浦(Philips)、英飞凌(Infineon)、Agere，以及联发科技(MediaTek)等业者，并和Symbian与MontaVista在内的作业系统厂商合作，协助确保其产品能支援90纳米的M18系列产品。英特尔已争取到包括NEC以及索尼爱立信(Sony Ericsson)在内的八家手机OEM厂商采用其元件。
    Sony Ericsson公司副总裁暨元件采购部经理Peter Carlsson表示：「英特尔StrataFlash手机记忆体(M18)优异的效能、高密度以及价值，非常适合打造Sony Ericsson的多功能手机。」
    为协助研发业者加速整合与推出新款手持式装置，英特尔推出免权利金的新一代Intel Flash Data Integrator (Intel FDI)软体。Intel FDI v7.1提供一套开放式架构，让业者能轻易整合快闪档案系统、即时作业系统，以及可挂载USB、支援Multi-volume，以及支援RAM缓冲区等三项新功能。更多资料，请访问http://www.intel.com/cd/corporate。