【产通社，5月11日讯】美光科技（Micron Technology；纳斯达克股票代码：MU）官网消息，其G18 NOR系列并行NOR闪存和低功耗DDR4(LPDDR4)具有可靠性超强、超高速且耐超高温等特点，能满足汽车细分市场对存储器不断增长的需求。该汽车级LPDDR4解决方案为业内首创。

Micron汽车部门总经理Giorgio Scuro说，“随着客户对智能手机、车载信息娱乐系统互联以及对诸如辅助驾驶系统之类高新汽车功能的期待，汽车互联对存储器的要求正在不断增长。Micron致力于提供可增强驾驶体验的领先存储器技术，如并行NOR和LPDDR4”。

IHS汽车半导体首席分析师Luca De Ambroggi说，“随着自动驾驶功能在下一代汽车上的运用，对汽车环境下半导体设计的需求应运而生，并且其要求日趋严格。Micron针对汽车市场的新产品系列完美契合这种趋势：满足下一代汽车的需要”。

产品特点

这些新型产品满足汽车应用对超快速度的需要。G18产品系列的高性能（266MB/s）使启动更快并支持高密度应用程序的代码执行，而LPDDR4的峰值带宽比DDR4高33%。此外，Micron的新解决方案提供持久的可靠性并符合ISO/TS认证要求——G18产品系列的流量为四通道SPI NOR的三倍，LPDDR4产品正在经历封装级老化测试。并且Micron的G18 NOR产品拥有符合工业温度（IT）范围（-40至85摄氏度）和汽车级汽车温度（AAT）范围（-40至105摄氏度）的选项。LPDDR4产品拥有符合汽车级工业温度（AIT）范围（-40至95摄氏度）的选项，某些未来选项将符合汽车级超高温（AUT）范围（-40至1
25摄氏度），后者是业内最高的运行温度范围，预计将在2016年推出。

某些汽车应用对快速、可靠的代码存储和执行的需求非常强烈，在启动速度和一些其他指标上，即使毫秒级的优势也非常重要，比如高级驾驶辅助系统（ADAS）后视摄像头，启动时需立刻就绪，Micron G18并行NOR闪存解决方案是这类应用的理想选择。G18 NOR闪存的读取速度高达266MB/s，其快速加载速度符合200us启动要求；并且比四通道SPI NOR快三倍。G18 NOR闪存的核心电压和I/O电压低至1.8V，在更小空间内获得更高的电源利用率。G18产品系列还提供A/D MUX和AA/D MUX配置，其I/O球数仅为传统NOR产品的50%，提供最高的每插脚带宽。除了支持汽车解决方案外，G18设备是设备自动化、企业服务器、网络应用，以及可穿戴设备、数码相机、医疗测试设备等的理想选择。

LPDDR4是在超高效LPDDR3的基础上加以改进的产品，其性能、功耗、延迟和物理体积都获得显著改善。Micron汽车LPDDR4解决方案采用新的能效技术，且带宽为LPDDR3的两倍，是支持下一代汽车应用的重要技术。LPDDR4的数据传输率高达4.266GT/s，与LPDDR3相比，其峰值带宽更高但每比特能耗更低。I/O数据传输率更快，传输速度高达3200Mb/s，支持车载信息娱乐系统显示高达4K×2K的分辨率和3D图像，并且支持更先进的ADAS防撞和安全驾驶功能。这些效率上的增益不仅适用于峰值带宽，也适用于较低的带宽。

供货与报价

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