【产通社，5月7日讯】中国科学院微电子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官网消息，其微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队近日在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点，是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。碳化硅电力电子器件，特别是SiC MOSFET器件是下一代高效电力电子器件技术的核心。

碳化硅电力电子器件研究团队基于微电子所4英寸硅工艺平台，对SiC MOS界面态来源与调控机理等开展了深入研究，开发了SiC栅氧化和氮化的栅介质工艺，将MOS栅电容的CV平带电压从3V左右降低到小于0.2V，成功研制出1200V和1700V SiC MOSFET器件。

该项目得到国家自然科学基金资助，并获得微电子所与南车株洲电力机车研究所有限公司共建的新型电力电子器件联合研发中心项目支持。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.ime.cas.cn。