高性能模拟信号路径芯片产品供应商——美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) 3月27日宣布推出三款全新的信号调节缓冲器，这是该公司一系列领先业界的 LVDS 芯片的最新型号。这几款缓冲器都设有传送预加重及接收均衡功能，而且即使以高达3.125Gbps的速度传送信号，也只有极少的抖动，功耗也比上一代的缓冲器少，是业界首系列同时具备这些优点的LVDS芯片。美国国家半导体将会在今年内陆续推出另外十一款具备相若功能的LVDS芯片产品，其中包括交叉点开关、多路切换器/缓冲器以及分离器。

美国国家半导体的DS25BR100、DS25BR110及DS25BR120都是单通道的LVDS缓冲器，即使传输速度高达3.125Gbps，仍可确保信号完整无缺。这三款芯片具有业界最低的9ps抖动(典型值)，而且功率只有100mW，也属于业界最低的水平。美国国家半导体这几款LVDS缓冲器能以极高速度驱动FR-4底板及电缆上的信号，最适用于通信设备、储存以及成像系统。例如，这几款芯片能以2.5Gbps的速度驱动10米长的InfiniBand电缆或40英吋的FR4底板，而均衡器输出端的残余抖动只有0.15UI。新一代串行数字接口(SDI)广播级视频路由器及家庭影院数字视觉接口(DVI)互连电缆也可利用这几款缓冲器加强信号强度。

这几款LVDS缓冲器可以提供7kV的静电释放保护与信号缓冲，适用於新一代的90nm、65nm现场可编程门阵列(FPGA)以及专用集成电路(ASIC)。这几款3.125Gbps的DS25BR1xx芯片都采用8引脚的LLP封装，并设有全差分信号路径，可确保信号完整无缺，又可大大加强信号路径的抗噪声干扰能力。DS25BR100芯片设有两级的传送预加重及接收均衡功能，因此是中继器的理想之选。DS25BR120芯片设有四级的预加重，因此是最理想的高性能驱动器，而DS25BR110芯片则设有四级的均衡功能，最适宜用作高性能接收器。

LLP封装体积小巧，大小只有3x3mm，不但可以节省电路板板面空间，而且其中的流通式引脚图可以将芯片的内部抖动减至最少，使电路板的设计工作变得更为容易。这几款缓冲器都可支持LVDS、CML及LVPECL输入，而输出则全面符合LVDS标准。差分输入及输出端都内置100-Ohm的电阻，以便降低芯片输入及输出的回波损耗，减少元件数目，以及进一步将电路板板面缩至最小。

DS25BR100、DS25BR110及DS25BR120芯片都以1,000颗为采购单位，单颗价同为2.45美元。如欲进一步查询有关3.125Gbps的LVDS DS25BR1xx缓冲器系列的资料或订购样品及评估电路板，可浏览http://www.national.com/pf/DS/DS25BR100.html、http://www.national.com/pf/DS/DS25BR110.html及http://www.national.com/pf/DS/DS25BR120.html等。