近年来，移动通讯的发展与应用加速了上游零组件材料的研究与开发。高频通讯组件一直是大家注目的焦点，最常使用到的Si基材因为本身材料的特性，只适用于低于1GHz左右的频率，随着无线通讯在近几年的发展，消费者除了语音传输，在未来更要求影音数据的快速交流，使得半导体材料逐渐的往高频方面发展。GaAs之所以吸引人的地方除了可以大批量产，其材料特性更符合目前产品的需求，要求低消耗功率，高线性度与环境影响度低等优点，但是在工艺性能与组件整合度上较Si组件差，目前大部分的应用在无线通讯的射频部分。
　　射频部分主要包含有：收发器(Transceiver)、功率放大器（PA）、锁相回路（PLL），它们在整个射频端所占的份额分别为74％、20％及6％。由于整个半导体趋势要求组件数目的减少与整合，锁相回路因整合性高逐渐被取代，因此市场规模逐渐下降，而功率放大器因工艺与电气性的特殊性，整合度不会太高，且维持一定的比重，因此在无线通讯半导体市场仍然占有一席之地。
　　GaAs半导体主要应用在手机射频部分的功率放大器（PA）及高频的Switch部分，其中在PA组件方面又可区分成MMIC(单晶微波集成电路)与Module(模块)两种，GaAs之MMIC为其主要应用。当然整个GaAs产业从上游到下游与Si半导体相同，包括了上游晶圆基板的生成，磊晶的制作；中游的芯片制造：黄光、扩散、薄膜和蚀刻到后段的切割与封测。
    以整个砷化镓组件主要的应用产品有FET、MMIC、Digital三种，其相关应用有FET: 信号MESFET、电源FET、HEMT。MMIC的应用有放大器组件、信号控制组件、I/F组件。Digital应用有Standard Cell组件、Gate Arrays组件等。
    MMIC的终端应用产品有汽车防撞雷达、消费性电子、光纤通讯网络、无线宽带网络与军事上的用途。近来由于手机与无线接入网络的蓬勃发展，因此无线通讯网络占了大部分的产值。主要是以无线通讯产值最大，而汽车防撞雷达的成长率最高。而整个MMIC产业从2003-2006之整体CAGR为18%之成长率。
    展望未来三五族化合物的应用市场可以从它的终端产品来推估，主要的应用有手机及无线网络（WLAN）等，近年来手机市场已经趋于饱和，唯一较大成长区域为中国，而无线局域网络的普及正方兴未艾，全球定位系统、3G手机的推广将决定三五族市场的规模。