【产通社，3月13日讯】联华电子（NYSE: UMC; TWSE: 2303）消息，其与ASIC设计服务领导厂商——智原科技共同发表了基于联电55纳米低功耗嵌入式闪存（embedded flash, eFlash）制程的基础硅IP组件库（cell library）、内存编译程序（memory compiler），以及关键接口IP等。这套完整的55纳米eFlash解决方案可同时满足市场对低功耗与高密度的设计需求，尤其适用于各种物联网（IoT, Internet of Things）与穿戴装置（wearable devices）等应用。

对于需要长时间待机的电子装置，为了延长电池续航力，低功耗的设计是首要门坎。为了满足这样的需求，智原透过低漏电内存周边的优化设计，将内存编译程序的功耗大幅降低，甚至在待机模式（stand-by mode）时，降低幅度达70%以上。功能强大的I/O组件库在数字与模拟接口都有提供，并有一套与5.0V接口兼容的高压I/O组件库可供选择。这些IO组件库都是采用联电高临界电压HVT（high threshold voltage）的核心组件所设计完成，以达到降低漏电的功能。除了基础IP之外，智原也开发完成了一些关键接口IP，包含采HVT设计的低功耗USB 2.0 OTG PHY，在闲置状态（idle mode）下，相较于传统方法所设计出的OTG PHY，大幅降低了65%的功耗。

智原的完整55纳米低功耗SST eFlash IP包含有标准组件库、内存编译程序、可编程diffusion ROM、Via ROM、IO组件以及低功耗USB 2.0 OTG PHY等。而因应不同需求，有包含7轨的miniLib、8轨的通用型组件库，以及12轨的UHS-Lib可供选择。同时，全系列也都搭载了PowerSlash、多种电压Vt组件等低功耗管理机制所需的组件库。

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