【产通社，3月6日讯】德国爱思强股份有限公司（AIXTRON；法兰克福证券交易所：AIXA；纳斯达克：AIXG）官网消息，台湾汉磊先进投资控股之子公司——汉磊半导体晶圆股份有限公司（Episil Semiconductor Wafer, Inc.）运用AIX G5 WW（Warm-Wall）反应器成功制造了SiC磊晶。

汉磊Episil总经理暨执行长詹益仁Ian Chan博士表示，“我们之所以选择AIXTRON爱思强行星式反应器系统，是因为AIXTRON爱思强碳化硅系统能够生产出优质的材料。汉磊Episil是生产用于电源管理元件和电源管理集成电路的硅磊晶片的龙头企业。我们也曾利用AIXTRON爱思强的MOCVD技术生产硅基氮化镓，如今，我们计划将我们的合作领域拓展至硅基器件。”

应用特点

碳化硅和氮化镓均用于电力应用。虽然碳化硅器件已用于切换式电源供应器，但碳化硅半导体材料的生成温度要求非常高，需要就磊晶加工设备设计特定的解决方案。这就是AIX G5WW的定位所在，能够完美契合新一代碳化硅电力电子的需求。G5WW系统能够处理直径长达8×150mm的碳化硅晶圆，并拥有市面上最高的晶圆生产能力以及快速的生产周期和低拥有成本。AIXTRON爱思强的工程师通过改善150mm碳化硅的均匀性和开发稳健的生产流程来实现生产良率的最大化。

汉磊 Episil成立于1985年，是台湾首家硅磊晶片生产商。如今，该公司拥有超过1,400名员工，总资本约为1亿美元。公司也运营一家生产双极性晶片、CMOS、DMOS和BCD制程的晶圆代工厂。

供货与报价

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