【产通社，3月2日讯】益登科技（EDOM Technology）官网消息，意法半导体（STMicroelectronics；NYSE股票代码：STM）最新推出的SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管具有先进的能效与卓越的可靠性，将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。

产品特点

1200V SCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列，具有小于290m?的通态电阻（RDS(ON)）及高达200°C的最大工作结温等诸多特性优势；其高度稳定的关断电能（Eoff）和栅电荷（Qg）可使开关性能在整个工作温度范围内表现始终如一。最终的低导通损耗和开关损耗配合超低泄漏电流，将有助于简化热管理设计，并最大限度地提高可靠性。

除更低的电能损耗外，意法半导体的碳化硅MOSFET的开关频率也同样出色，较同等级的硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）高出3倍，这让设计人员能够使用更小的外部元器件，进而降低产品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高温性可大幅度简化电源模块、电动汽车等应用的散热系统（cooling-system）设计。

SCT20N120采用意法半导体独有的HiP247封装，其更高的热效率可使管子在最大工作温度高达200°C时，依然能够维持与TO-247工业标准功率封装外观兼容。

供货与报价

SCT20N120目前已开始量产。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.edom.com.tw，以及http://www.st.com。