【产通社，1月22日讯】德州仪器（TI）官网消息，其11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN封装的25V CSD16570Q5B和30V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，新型12V FemtoFET CSD13383F4面向低电压电池供电型应用，在采用0.6×1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84%的极低电阻。

产品特点

CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率，同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如25V CSD16570Q5B支持0.59mΩ的最大导通电阻，而30V CSD17570Q5B则实现了0.69mΩ的最大导通电阻。

新型CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可与面向DC/DC控制器应用的LM27403配合使用，从而构成一套完整的同步降压型转换器解决方案。CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与诸如TPS24720等TI热插拔控制器配套使用。

供货与报价

目前，FemtoFET CSD13383F4以及CSD17670Q5B和CSD17570Q5B产品可通过TI及其授权分销商批量采购。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。