【产通社，1月8日讯】Diodes公司（Diodes Incorporated）消息，其ZXGD3009E6及ZXGD3009DY 40V紧凑型栅极驱动器额定值1A，旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6（采用SOT26封装）和ZXGD3009DY（采用SOT363封装）可缩减MOSFET的开关时间，有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率。

产品特点

新驱动器作为低功率控制IC的高增益缓冲级，能够从仅10mA的输入电流提供500mA的典型驱动电流，从而使功率MOSFET电容负载实现快速充放电功能。驱动器具有超速开关，而且提供少于5ns的传递延迟时间，以及少于20ns的升降时间。

两款ZXGD3009系列的产品通过分开的抽灌输出来独立控制MOSFET的开关时间，使MOSFET的工作模式更能满足应用的需求。器件能以正负电压驱动栅极，确保功率MOSFET硬关断的可靠性。

新栅极驱动器备有坚固的射极跟随器，以防止闭锁和击穿现象，并能承受高达2A的峰值电流。两款产品提供的40V宽广工作电压范围，加上功率MOSFET栅极驱动，也使它们能处理远超于功率MOSFET栅极驱动常见的12V电压尖峰。

供货与报价

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.diodes.com。（孙涵文，博达公关）