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Diodes SBRT15U50SP5/20U50SLP器件提高充电器效率
2015/1/5 21:49:06     

【产通社,1月5日讯】Diodes公司官网消息,其SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP器件采用专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款新器件适合10W智能手机充电器的15A SBRT15U50SP5,以及为12.5W平板电脑充电器而设的20A SBRT20U50SLP。这类充电器的设计日益纤薄小巧,而且对效率和温度有严格的要求,传统的肖特基(Schottky)二极管解决方案已经无法配合。


产品特点


SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36kHz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。

SBRT15器件在15A的电流下,正向电压为0.47V;SBRT20器件则在20A的电流下达到0.5V的正向电压,加上+90°C的工作温度,可尽量减少导通损耗并提高充电器效率。SBRT15及SBRT20在+125°C的高温下,分别达到105mA和100mA的低反向漏电流,有助于把阻断模式损耗降到最低。

SBRT20U50SLP及SBRT15U50SP5是完善的沟槽型超级势垒整流产品系列首两款面世的整流器,提供从10-100V宽广的反向电压范围、0.2-40A的电流处理能力,以及多种不同的封装选择,包括Diodes旗下节省空间的PowerDI123、PowerDI5和PowerDI5060。


供货与报价


查询进一步信息,请访问官方网站http://www.diodes.com。(孙涵文,博达公关)

    (完)
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