【产通社，8月14日讯】RFaxis公司消息，其代号为“Nucleus”的纳米级射频产品系列采用40纳米CMOS工艺，是完全集成的5GHz 802.11ac射频前端集成电路（RFeIC），通过在纳米工艺节点中集成高性能射频前端，RFaxis将进一步挑战极限。Nucleus45旨在提供18dBm输出功率，以满足用于11ac的256QAM调制的最严苛线性要求，同时无需使用任何DPD技术。整合的低噪声放大器可在系统级别提供2.5dB的极低噪声系数，包括所有与阻抗匹配和天线开关有关的损耗。射频性能可媲美采用昂贵得多的砷化镓（GaAs）、硅锗（SiGe）或SOI等半导体工艺的顶尖设计。

Rfaxis董事长兼首席执行官Mike Neshat表示：“对于智能手机和平板电脑等无线通讯设备来说，射频前端在保证最佳信号强度和最高数据传输速率方面具有非常关键的作用。在此之前，由于射频设计具有独特的挑战性，无线行业迄今一直依赖昂贵的砷化镓（GaAs）或硅锗（SiGe）技术来满足他们的射频前端需求。RFaxis是世界上第一家，也是唯一一家出售采用纯CMOS工艺的完整射频前端解决方案的公司，这些解决方案拥有毫不妥协的性能，其售价也具有彻底的颠覆性。”

Neshat表示：“推出Nucleus之后，通过为无线行业提供一款射频前端解决方案，RFaxis已经走在了完成自身使命的坚实轨道上。这款解决方案完全采用CMOS工艺，并无缝匹配主流Wi-Fi、ZigBee、蓝牙或物联网片上系统。”

在智能手机、PC/平板电脑、高清视频流和物联网（IoT）等关键应用的推动下，Wi-Fi继续保持着爆炸性增长势头。根据调研机构Strategy Analytics的分析，2013年的Wi-Fi芯片出货量超过20亿枚，到2017年，预计年出货量将超过30亿枚。

为了进一步提高无线传输速率和实际数据吞吐量，Wi-Fi行业正在迅速普及最新的IEEE标准802.11ac，以便提供前所未有、接近10Gbps的超高数据传输速率。该标准支持256QAM高级调制方案、多达8×8的MIMO（多输入多输出）和MU-MIMO（多用户MIMO）等最新技术。为了进一步缩小尺寸、提高处理器性能和集成度，Wi-Fi片上系统（SoC）供应商一直朝着为其下一代产品研发更小的CMOS工艺节点前行。

产品特点

随着CMOS技术不断向更深的亚微粒节点迁移，如40纳米、32纳米和28纳米，电源电压的降低以及与衬底漏电有关的无源损耗，对设计具有高功率功能、良好线性和竞争效率的RF PA（射频功率放大器）和前端构成了巨大的挑战。另一方面，这些纳米级CMOS工艺还具备一系列新特性和优势，例如前所未有的信号处理能力，如果利用得当，这些新特性和优势可以为射频/模拟设计提供巨大优势。例如，DPD（数字预矫正）如今通常用于主流的Wi-Fi SoC，以帮助为正交频分复用（OFDM）调制技术提供具有良好线性的合理片上输出功率，而ET（封包追踪）正在迅速发展成为一种前景光明的CMOS功率放大器性能改善技术，以最终取代现行的基于GaA的3G/4G-LTE手机应用功率放大器。

虽然这些强大、成熟的数字技术可用于控制和改善任何类型的射频前端解决方案，但只有SoC（基带/收发器）和射频元件采用同样的CMOS工艺来设计和制造时，才能发挥最佳协同效应。这恰恰是RFaxis Nucleus产品系列的目标所在。RFaxis采用专利架构、专有先进技术和内部设计专业知识，克服了诸多技术障碍，掌握了在低压CMOS设备上实现线性高射频功率的工艺。

典型的例子就是RFaxis的RFX240。这是一款基于标准0.18微米CMOS工艺的2.4GHz 11b/g/n/ac功率放大器，以5V供电电压为64QAM OFMD提供26dBm（400mW）线性功率，误差矢量幅度（EVM）为3%，其出众的功率附加效率（PAE）超越了竞争对手采用GaA或SiGe工艺的设计。RFaxis丰富的2.4/5GHz RFeIC组合包括功率放大器、低噪声放大器和天线开关，一直在进行大批量生产，凭借低成本的CMOS工艺技术，以史无前例的优惠价格提供最先进的性能。

Nucleus解决方案为无线行业提供了在更深的纳米工艺节点中实现稳固的射频、数字和混合信号同步设计的途径，使客户能够实现其射频性能目标，缩短设计周期，大幅降低开发风险，缩短产品上市时间，同时避免不必要的大笔新研发投资投入。

供货与报价

RFaxis Nucleus系列定于2014年第四季度向战略客户提供样品，2015年第一季度将推出一款同样采用40纳米节点的双频段/双模RFeIC——Nucleus4。该公司还将推出其下一代Nucleus2系列产品，从而提供从40纳米向28纳米工艺节点的无缝迁移。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.rfaxis.com。