安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）11月21日推出业内首个异步双缘(dual-edge)脉冲宽度调制(PWM)控制器NCP5381。这全新控制器适用于快速瞬流响应和先进电源管理极为关键的应用，如奔腾4处理器主板、VRM模块和图形卡。
    安森美半导体模拟计算产品总监施宝(Michael Stapleton)表示："通过使用工作个人电脑主板，安森美半导体推出了符合VR10和VR11性能的双缘NCP5381 PWM控制器。看过现场展示的客户对控制器的印象十分深刻，因为其性能优异，可以方便地集成到现有的主板设计中，且最终可以帮助降低其Vcore核心电压电源管理子系统的总体成本。"
    电平增高和电流转换更快是长期发展趋势，故CPU电源设计人员面临的主要挑战之一在于特定主板上的CPU电压必须保持稳定，而有源功率要求有波动。NCP5381的设计使电源管理子系统响应用户激活高性能计算功能，对负载瞬流的响应明显比现有业内单缘、锁存、时钟或同步调制产品更快。这让子系统的工作频率更低，而且与现有调制方法相比，保持电容更少、更小。其结果是得到更加紧凑的解决方法，需要更少外部元件，因此比现有解决方法的性价比更高。产品特性：
* 双缘PWM对瞬变负载快速初始响应
* 正在申请专利的动态参考注入(Dynamic Reference Injection)
* +0.5%系统电压精确度
* 符合VR11的远程温度检测
* 与VR10逆向兼容
* "无损"差分电感电流检测
    除NCP5381外，安森美半导体的CPU功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (V) NCP3418B MOSFET门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用SOIC-8和DFN-10无铅封装。八个25 V、单N-沟道MOSFET也是双缘Vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(A)的NTD50N03R MOSFET和四个65 A的NTD65N03R MOSFET。这些器件的RDS(ON)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅DPAK封装。一个驱动器和两个MOSFET用于驱动NCP5381的四个输出相位。
    NCP5381MNR2G采用40引脚无铅QFN封装。现备样品供索，计划于2006年第一季度投入生产。更多信息，请发送邮件至Michael.Stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与Mike Stapleton联系。
    NCP5381拓展了安森美半导体现有计算应用中的DDR控制器、通用控制器、MOSFET和分立产品的产品系列。如欲了解更多有关安森美半导体器件的信息，请访问www.onsemi.com.cn。