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Endura Ventura PVD沉积系统实现高效3D芯片垂直集成
2014/6/8 9:58:30     

【产通社,6月7日讯】应用材料公司(Applied Materials;纳斯达克:AMAT)官网消息,其Endura Ventura PVD系统沿袭了应用材料公司在业界领先的PVD技术,并融入了公司最新创新成果,能够完成连续薄的阻挡层和种子层的硅通孔(TSV)沉积,帮助客户以更低廉的成本制造出体积更小、功耗更低、性能更高的集成3D芯片。Ventura系统还与众不同地采用钛作为阻隔材料,从而在量产的情况下很好的实现降低成本的目的,展现了应用材料公司在精密材料工程领域的专业技术。Ventura系统的推出进一步完善了应用材料公司的硅片级封装(WLP)设备产品线,适用于硅通孔、再分布层(RDL)和凸点等各类应用。

应用材料公司副总裁兼金属沉积产品事业部总经理Sundar Ramamurthy博士介绍道:“凭借应用材料公司在铜互连技术领域超过15年的领导经验,Ventura系统能生产出可靠的高深宽比硅通孔,铜互连PVD系统相比,可使阻挡层和种子层成本降低多达50%。这些创新成果可以帮助我们更显著的提高产品性能和功能,实现功耗更低、更紧凑的芯片封装,从而进一步满足最尖端的技术需求。该款全新的PVD系统已获得客户认可,并将逐步用于大规模生产中。”


产品特点


TSV是垂直制造体积更小、功耗更低的移动和高带宽器件中的关键技术。通孔是垂直穿过硅片的短互联通道,可将器件的有源侧连接到硅片的背面,是多个芯片间连接的最短互连路径。集成3D堆叠器件需要将10:1以上深宽比的TSV进行铜互连。利用创新的材料和先进的沉积技术,全新的Ventura设备可有效解决这一问题,从而较先前的行业解决方案能更显著的降低TSV制造成本。

Ventura系统采用更先进的离子化PVD技术,进一步提高阻挡层和种子层的完整性,这对芯片的孔隙填充和互连尤为重要,从而能够有效提高3D芯片的良率。此外,这些技术上的新突破能够显著改善离子的方向性,可在硅通孔中完成均匀连续的薄的金属层沉积,从而实现TSV所需的无空隙填充。由于方向性的改善,沉积速率得以大幅提高,阻挡层材料和种子层材料的用量显著减少。

此外,Ventura系统采用钛作为阻挡层材料,以期提高设备稳定性,降低TSV金属化过程中的整体持有成本。


供货与报价


查询进一步信息,请访问官方网站http://www.appliedmaterials.com

    (完)
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