【产通社，5月18日讯】东芝公司（Toshiba Corporation；TOKYO:6502）消息，其将拆除四日市业务部（Yokkaichi Operations）生产基地的2号半导体生产厂（Fab 2），并在同一地点新建晶圆厂。Fab 2是该公司位于日本三重县的NAND闪存制造厂。为共同投资新厂房，东芝还与闪迪公司（SanDisk；NASDAQ: SNDK）签署了一份不具约束力的谅解备忘录。新建晶圆厂的主要目的旨在提供生产空间，以便将现有的东芝和闪迪2D NAND产能从2016年开始向3D NAND进行转化。

现有Fab 2的拆除工作将于今年5月启动，而新厂将于2014年9月开始施工，并预计于2015年夏季竣工。新晶圆厂内的无尘室将分阶段进行建设，以便与2D NAND产能向3D NAND转化的时间安排相吻合。第一阶段无尘室建设将按时完成，以配合2016年产出。产能转化加速和设备投资、生产启动，以及新晶圆厂的产量水平方面的决策将根据市场趋势作出。

新晶圆厂将提供工艺配套设施，主要用于3D NAND存储器的生产，并将与四日市的其他设施密切配合使用。东芝和闪迪将通过合资企业，利用其最先进的光刻、沉积和蚀刻制造设备支持3D存储器生产。

该新晶圆厂将采用减震结构和环保设计，包括整栋建筑的LED照明。它还将配备最先进的节能生产设备，从而确保提高生产力，同时降低功耗。高效利用废热将有助于降低燃料消耗和减少二氧化碳排放量，相比Fab 5可减少15%。而Fab 5是目前四日市生产基地中最先进的晶圆厂。

在向3D NAND过渡期间，东芝和闪迪将通过合资企业，充分利用四日市生产基地资源，以最大化投资效率。展望未来，两家公司将继续共同开发先进的工艺技术，并进行投资以满足市场需求。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.toshiba.co.jp/index.htm。