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中芯国际公布28nm和40nm等先进工艺最新成就
2014/4/27 9:24:36     

【产通社,4月27日讯】中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC;NYSE股票代码:SMI;HKEX股票代码:981)官网消息,其在上海举办了第六届年度技术专题研讨会,公布了28nm和40nm等先进工艺取得的最新成就和重要进展,以及基于特殊工艺如eNVM、PMIC、RF、IoT、MTE(成熟技术优化)等项目的新特色产品。
 
中芯国际资深副总裁兼中国区总经理彭进先生,在开幕致辞上发表了主题为“专注产品应用,创建工艺平台组合”的演讲。他特别提到中国集成电路产业、尤其是集成电路设计业近年来的快速增长,分享了中芯国际先进及特色工艺平台的最新进展,特别是能够应用于智能手机、平板电脑、可穿戴式设备、机顶盒等终端领域的工艺IP和产品组合,以满足客户不断增长的对多样化、差异化服务的要求。
 
中芯国际设计服务中心资深副总裁汤天申博士的演讲以“开放生态,卓越品质,贴心服务”为主题,介绍了在4G无线通讯时代半导体产业面临的挑战和机遇,以及中芯国际致力于建立和完善开放的IP/EDA/设计服务生态系统、为客户提供更多应对新挑战解决方案的措施和目标。
 
大会还研讨了多项主题,包括中芯国际28nm PDK和40nm RF PDK的现状及最新进展,以及40nm设计和流片要点,分享了中芯国际0.13μm EEPROM工艺特色、智能卡平台以及电源管理应用的多种工艺平台。此外,还介绍了中芯国际准备的面向多种先进及特色工艺和应用平台的基础IP及其发展路线。
 
此外,多位中芯国际合作伙伴的高层也就各自的技术发展趋势发表了演讲。另有十一家合作伙伴在会上设立展台,展示他们最新的产品和服务,并有超过200位来自全球各地的芯片设计工程师、客户、技术合作伙伴与供应商等出席了此次研讨会。
 
最后,彭进先生感谢所有客户以及合作伙伴多年来的支持与合作,并表示中芯国际将继续加强技术创新,完善客户服务,优化工艺和产品组合,提高产品品质和准时交付,进一步与客户及合作伙伴紧密协作,实现共赢。
 
查询进一步信息,请访问官方网站http://www.smics.com

    (完)
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