【产通社，4月23日讯】三星电子有限公司（Samsung Electronics Co., Ltd.）消息，其和GLOBALFOUNDRIES已达成一项新的战略合作计划，以面向全球提供14纳米FinFET工艺技术生产能力。这一行业最先进的14纳米FinFET技术将首次在三星和GLOBALFOUNDRIES投产，从而从多个源头为全球客户提供供应保障，且只基于真正的设计兼容性的供应。此次新型合作将充分利用两家企业全球领先的半导体制造能力，批量生产将在韩国华城和德州奥斯汀的三星晶圆厂以及纽约州萨拉托加的GLOBALFOUNDRIES晶圆厂进行。

14纳米FinFET工艺由三星开发并授权给GLOBALFOUNDRIES，是以备受推崇的技术平台为基础的，而这一平台是高产量、高节能片上系统（SoC）设计的首选。该平台充分利用全耗尽式三维FinFET晶体管的优势，克服了平面晶体管的局限性，将速度提高20%、耗能降低35%，以及相比20纳米平面技术面积缩小15%。

该平台是晶圆代工行业首度采用的FinFET技术，与20纳米技术相比真正实现面积缩小。该技术具有更小的接触式栅极间距，适用于更高的逻辑封装密度和更小的SRAM位单元，从而满足高级SOC中对内存容量与日俱增的需求，同时还充分利用了20纳米技术成熟的互连方案，从而通过降低风险和最快的上市时间来呈现FinFET技术的众多优势。

通过这一长达多年的独家技术授权，工艺设计工具包（PDK）现已上市，客户可藉此着手设计基于14纳米FinFET测试芯片开发出的模型、设计规则手册和技术文件。14纳米FinFET技术的批量投产将于2014年年底进行。

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