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R&S和高通成功演示Gobi芯片组对LTE-A cat6的支持
2014/3/4 9:39:05     

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【产通社,3月4日讯】罗德与施瓦茨(Rohde-Schwarz;纳斯达克股票代码:QCOM)官网消息,Qualcomm Gobi 9×35芯片组已经得到充分验证,完全满足3GPP Release 10对于LTE-Advance用户平面吞吐量测试的要求,并在今年的世界移动通信展会(MWC 2014)上进行了展示。R&S CMW500宽带无线通信测试仪可以用于模拟LTE-Advance网络,并且是业内唯一一款既支持射频测试又支持协议测试的平台,其可以在单台仪表内支持全协议栈的验证。


应用特点


罗德与施瓦茨和高通成功演示了高通最新的Gobi芯片组的能力,其可以完美支持LTE category 6全部协议栈数据吞吐量测试。这一里程碑为移动运营商推进LTE-A载波聚合的商业化指明了方向。结果表明,Gobi 9×35芯片组不仅可以支持两个载波聚合(每20MHz的带宽),在下行链路可以达到300Mbps数据传输速率,还具有非凡的稳定性。基于该芯片组用户设备将使已经获得额外的频谱资源的移动运营商在未来可以为用户提供更高的峰值传输速率。有了这样的成就,罗德与施瓦茨和高通将会使整个产业链受益,加快LTE-Advanced载波聚合功能的商业化进程。

R&S CMW500宽带无线通信测试仪能够支持下行300Mbps的IP层传输速率,在下行支持两个20MHz带宽的载波(包括2×2或者4×2 MIMO方式),没有任何频段及带宽的限制。在此之前,方案针对LTE-Advance的载波聚合通常采用两个10MHz的载波,在category4下,可以达到150Mbps的下行速率。支持Cat6的终端可以使这一数值翻倍,即300Mbps。


供货与报价


目前罗德与施瓦茨公司提供LTE FDD和LTE TDD模式LTE-Advance下行载波聚合的射频测试和协议测试解决方案。查询进一步信息,请访问官方网站http://www.rohde-schwarz.com.cn/

    (完)
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